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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 【求助】CVD 制备graphene, NI膜是E-beam Sputter 热蒸发 还是直接用Ni合金好？
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楼1970-01-01 08:00:00
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xiaohaiyan

木虫 (正式写手)
引用回帖:
Originally posted by lvyiyilv at 2010-09-14 12:07:16:
要是能直接长在绝缘基底上那就爽了
不用转移那么麻烦
你长出来的会不会是积碳啊？
不过碳管都可以无催化剂制备，graphene应该也可以



如何判断是否是积碳？

试验过程中发现调节工作气压，可得到多壁碳管。
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8楼2010-09-14 14:23:03
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xiaohaiyan

木虫 (正式写手)
lvyiyilv(金币+1): 2010-09-14 10:56:03
啥CVD?
单层graphene?
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2楼2010-09-14 08:08:05
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羽觞卣尊

铁杆木虫 (职业作家)
lvyiyilv(金币+1): 2010-09-14 10:52:11
建议你用Cu基底，Cu可以诱导只生长一层石墨烯，Ni就不行了，在Ni基底上会生长多层，而其C在Cu里面的溶解度要小与在Ni里面的溶解度。
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3楼2010-09-14 10:32:53
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lvyiyilv

木虫 (职业作家)
铜的熔点太低
每次长完管子里都很脏
还得用低压~

我的工作不需要非得用单层
E-beam的Ni表面感觉很差
引用回帖:
Originally posted by 羽觞卣尊 at 2010-09-14 10:32:53:
建议你用Cu基底，Cu可以诱导只生长一层石墨烯，Ni就不行了，在Ni基底上会生长多层，而其C在Cu里面的溶解度要小与在Ni里面的溶解度。

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4楼2010-09-14 10:53:33
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