应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 晶体 » 文献解析 » 【请教】提拉单晶硅中的氧化诱生层错（OSF）怎么解决？
51/1返回列表
查看: 781  |  回复: 2
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

fengaddress812

木虫 (正式写手)

[交流] 【请教】提拉单晶硅中的氧化诱生层错（OSF）怎么解决？ 已有2人参与

小弟提拉的单晶硅中有大量的氧化诱生层错（OSF），请问各位大侠，有没有什么好方法能解决的啊？我高温退火了，还是不行，好像更差了。请有经验的大侠指点一二。
谢谢！
回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
1楼 2010-07-16 21:56:25
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

pzlky

新虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
OSF和V/G关系很大，V/G小于0.13mm2min-1k-1，OSF占比比较多，可以想办法增加V/G的值，比如适当提高点头部的拉速，或者降低引晶埚位。但是V/G如果太大会带来比OSF更严重的缺陷，空位缺陷。
赞一下 回复此楼
3楼2014-12-22 09:47:26
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 3 个回答

barton2004

木虫 (著名写手)
★
小木虫(金币+0.5):给个红包，谢谢回帖交流
提高拉速可以,你試試!
赞一下(1人) 回复此楼
天行健,君子以自强不息!!!
2楼2010-10-08 19:21:15
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 3 个回答
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复 (可上传附件)
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭