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gavinliu7390

木虫 (著名写手)

叶落鹰飞

[交流] 【其他】vasp相关技术有奖征集!已有26人参与

直至目前,国内第一性原理研究已经搞的如火如荼。各类软件也是五花八门,但目前实际流行的基于平面波技术主要就两类。一类就是MS中castep为代表,由于它操作起来简单,易于大众接受,所以很受欢迎。尽管与此,由于门槛低,属于你会我也会,现在已经很难纯靠这类技术发高档次文章了。另一类就是一vasp为代表的,由于必须在linux下操作,相对难一些。但由于它的计算速度快,而且目前很多文章都用这种技术,(当然我不是说castep发不了好文章,prl, nature还是有的。但一般都附加了其它技术)还是受到更多人的喜欢。这一类软件实际有很多,如abinit, quantum expresso(pwscf). 至于其它一些基于轨道例如LMTO,我在这里就不提了。当然 vasp 也不是万能的,很多功能也得用类似软件来完成,例如利用密度泛函微扰计算声子性质就得用abinit或pwscf.
在这里我是希望大家一起集思广益,把一些技术都整理出来,这样一是方便初学者学习,二是方便大家的交流,三是希望认识更多的朋友。
只要大家能够耐心把自己会的相关技术贴出来,即使是思路也好。就有机会得到我发放的5-10个金币。
当然在这里我也会陆续贴出我自己学会的相关技术。(注,因为有的研究小组有规定,不经导师允许,不可以提供绝密技术。所以在这里尽量提供自学或自创技术。)
vasp计算能带,态密度我想这都是最基本的技术,在网上一搜也一堆。
计算声子谱,目前主要是用 dircet supercell 方法。工具是vasp+phonon(这个功能还是很强大的,只是需要买),还有就是 vasp+phon, vasp +fropho , vasp +phonopy, 这都是免费的,我个人比较喜欢最后一个,一是问题少,二是计算的比较快。
详细的看这个帖子,http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=1710612
我将的第二个技术就是利用vasp计算 ideal strength.
在计算tensile strength的时候,主要是首先在你想要拉伸的方向建立原胞。最好设置
为a为x方向,而且需要的是b和c 与 a垂直。
然后改变啊a的长度,优化b和c。 计算出受力即可。而且要注意每一次改变a都要用前一次的CONTCAR.
其中一个关键问题要改一下vasp代码,重新编译一下。
打开constr_cell_relax.F文件。
在31到35行讲的是如何单独优化x方向。这里你只要将x换成y和z即可。
例如在30行后加入这几行即可,
SAVY=FCELL(2,2)
SAVZ=FCELL(3,3)
FCELL=0
FCELL(2,2)=SAVY
FCELL(3,3)=SAVZ
这样即可计算tensile strength了。
好了,再想到什么我还会写。有问题也欢迎。希望大家积极参与!

[ Last edited by gavinliu7390 on 2010-4-3 at 17:33 ]
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锐利的碎片

木虫 (正式写手)

star watcher

★ ★ ★ ★ ★
gavinliu7390(金币+10):谢谢参与!很好! 2010-04-04 15:27
zxzj05(金币+5):谢谢回帖交流 2010-04-04 20:40
使用elk里面的eos进行状态方程拟合
elk(exciting)中附带了eos程序可以用于vasp的结构优化过程。eos可以进行多种状态方程的拟合。eos的输入文件为eos.in。
输入举例:
"Silicon"                    : cname
2                            : natoms
1                            : etype
140.0 450.0 1000             : vplt1, vplt2, nvplt
7                            : nevpt
165.8207473 -578.0660968
196.8383062 -578.1728409
231.5010189 -578.2305598
270.0113940 -578.2548962
312.5719400 -578.2566194
359.3851654 -578.2453281
410.6535788 -578.2253154
466.5796888 -578.2028836
输入规则:
cname               : name of crystal up to 256 characters
natoms              : number of atoms in unit cell
etype               : equation of state type (see below)
vplt1, vplt2, nvplt : volume interval over which to plot energy, pressure etc.
                       as well as the number of points in the plot
nevpt               : number of energy-volume points to be inputted
vpt(i) ept(i)       : energy-volume points (atomic units)
Note that the input units are atomic - Bohr and Hartree (NOT Rydbergs). (注意单位是Bohr和Hatree.
目前可以进行以下拟合:
1. Universal EOS (Vinet P et al., J. Phys.: Condens. Matter 1, p1941 (1989))
2. Murnaghan EOS (Murnaghan F D, Am. J. Math. 49, p235 (1937))
3. Birch-Murnaghan 3rd-order EOS (Birch F, Phys. Rev. 71, p809 (1947))
4. Birch-Murnaghan 4th-order EOS
5. Natural strain 3rd-order EOS (Poirier J-P and Tarantola A, Phys. Earth
    Planet Int. 109, p1 (1998))
6. Natural strain 4th-order EOS
7. Cubic polynomial in (V-V0)
10楼2010-04-04 13:24:55
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