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yipinchun

金虫 (著名写手)

[交流] 【求助】FET测试 氧化硅绝缘层漏电已有7人参与

这段时间做FET device,要做低温。但是发现氧化硅绝缘层居然漏电。不知道是怎么回事。不知道有经验的兄弟能否给指点下。

我用的是300nmSiO2/500um Si. Pt电极。标准的电子束曝光过程。

PMMA-曝光-显影-镀电极

多谢各位了。
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信春哥,得永生
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zeusshang

金虫 (小有名气)

yipinchun(金币+5): 2010-03-15 16:58
yipinchun(金币+5):多谢兄弟,可否进一步指点下 2010-03-15 17:03
你从什么地方买的氧化硅片子,正常情况下是不应该出现这样的问题的,通常热氧化过程是比较简单可靠的,要不然IC也不会得到这么大范围的应用。
看一下氧化硅片子的颜色,如果是深蓝色,比较均匀的话,基本上可以排除是氧化硅的问题。
有多个器件的话,换个器件试试。
不过个人觉得最好考察一下测量过程和仪器搭接方式,热氧化的氧化硅不会这么容易出问题的,特别是这种标准厚度。
低温探针台里面探针连接要特别小心。
微纳加工
2楼2010-03-15 16:47:46
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zeusshang

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by zlj4165 at 2010-03-15 22:49:34:
会不会是银胶把侧面的si连接上了。银胶不会腐蚀二氧化硅的。

我也觉得也有可能是这样的,银胶的溶剂基本上都是有机溶剂,不会对氧化硅造成腐蚀的
微纳加工
7楼2010-03-16 09:36:31
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