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yipinchun

金虫 (著名写手)

[交流] 【求助】FET测试 氧化硅绝缘层漏电已有7人参与

这段时间做FET device,要做低温。但是发现氧化硅绝缘层居然漏电。不知道是怎么回事。不知道有经验的兄弟能否给指点下。

我用的是300nmSiO2/500um Si. Pt电极。标准的电子束曝光过程。

PMMA-曝光-显影-镀电极

多谢各位了。
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信春哥,得永生
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zeusshang

金虫 (小有名气)

yipinchun(金币+5): 2010-03-15 16:58
yipinchun(金币+5):多谢兄弟,可否进一步指点下 2010-03-15 17:03
你从什么地方买的氧化硅片子,正常情况下是不应该出现这样的问题的,通常热氧化过程是比较简单可靠的,要不然IC也不会得到这么大范围的应用。
看一下氧化硅片子的颜色,如果是深蓝色,比较均匀的话,基本上可以排除是氧化硅的问题。
有多个器件的话,换个器件试试。
不过个人觉得最好考察一下测量过程和仪器搭接方式,热氧化的氧化硅不会这么容易出问题的,特别是这种标准厚度。
低温探针台里面探针连接要特别小心。
微纳加工
2楼2010-03-15 16:47:46
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yipinchun

金虫 (著名写手)

在美国公司直接买的,因为是300nm所以是均匀的紫色。

测低温要进到ppma里面,所以无法用探针,必须得用银胶点了大电极(100um×100um)之后用金线连出来的(这一步,不知道楼上的兄弟如何做的)。

我们有些担心是否银胶或者里面有什么东西会和SiO2反应,导致漏电。后来用Al线bonding发现还是有漏电。所以就有些lose掉了。。。。
信春哥,得永生
3楼2010-03-15 17:03:07
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maccaboy

至尊木虫 (著名写手)

还不是很明白,最好有个说明图FET的
先用探针台测测看呢
应该出可以排查出问题所在

另Pt是自己镀的吗?

[ Last edited by maccaboy on 2010-3-15 at 19:44 ]
4楼2010-03-15 19:42:46
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yipinchun

金虫 (著名写手)

探针测没有问题,只是在加了银胶引金线后测量出现问题。。。
初步以为是银胶里面有什么腐蚀了氧化硅。。。


Pt用sputter镀的
信春哥,得永生
5楼2010-03-15 20:59:20
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zlj4165

银虫 (著名写手)

会不会是银胶把侧面的si连接上了。银胶不会腐蚀二氧化硅的。
6楼2010-03-15 22:49:34
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zeusshang

金虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by zlj4165 at 2010-03-15 22:49:34:
会不会是银胶把侧面的si连接上了。银胶不会腐蚀二氧化硅的。

我也觉得也有可能是这样的,银胶的溶剂基本上都是有机溶剂,不会对氧化硅造成腐蚀的
微纳加工
7楼2010-03-16 09:36:31
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yipinchun

金虫 (著名写手)

我们是金线头上点点银胶与大电极100um×100um接触,加热烘干。形成的银胶点不到200um。不可能与侧面Si接触。
信春哥,得永生
8楼2010-03-16 10:40:34
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jiangweijw

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by yipinchun at 2010-03-15 15:41:25:
这段时间做FET device,要做低温。但是发现氧化硅绝缘层居然漏电。不知道是怎么回事。不知道有经验的兄弟能否给指点下。

我用的是300nmSiO2/500um Si. Pt电极。标准的电子束曝光过程。

PMMA-曝光-显影-镀 ...

绝缘层漏电,是什么情况?
9楼2010-05-26 15:21:05
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diamondfire

木虫 (正式写手)

yipinchun(金币+5): 2010-06-28 10:03:21
你的电压多大?
这种厚度应当很难被击穿的。
你的电极pad怎么做的?
你的银胶在多少度烘干的?低于600度应当没有问题的。
最好给出电路图,方便分析。
再烦,也别忘微笑;再急,也要注意语气;再苦,也别忘坚持;再累,也要爱自己。低调做人,你会一次比一次稳健;高调做事,你会一次比一次优秀。
10楼2010-06-27 18:07:28
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