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阿勇

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】缺陷形成能

Sample Text
在计算缺陷带电情况下的形成能，如果一缺陷带电，在计算时，会有一个均匀电荷背景来保持胞的中性，那我计算这个胞的总能包不包括这个均匀电荷背景的能量
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1楼 2009-09-14 16:43:42
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阿勇

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
Originally posted by yzcluster at 2009-9-14 20:51:



可能LS没有明白我的意思。我是指在DFT计算的时候，这个正电背景如何加上。既然是求解带电缺陷的形成能。为什么还要加上正电背景以保持胞的中性？究竟计算的是带电的晶胞还是中性晶胞？我觉的这是一个矛盾。 ...

可能是我的表达不清楚，我举个例子来说，比如我要计算Zn间隙在ZnO中的形成能，为了让Zn间隙带2个单位的正电荷，那我在计算时，INCAR里的总电子数就要比不带电的总电子数减少两个，但为了保持超胞的电中性，必须提供一个均匀的负电荷背景（这个背景在实空间的积分应为两个电荷的电量），因为在做行程能的计算时，需要用到这个间隙带电胞的总能，所以我想问的是这个额外的负电荷背景的能量是否计算到了这个胞的总能里去了。
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8楼2009-09-15 09:09:18
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lfhuang

木虫 (著名写手)
★ ★
yjr(金币+1,VIP+0):谢谢！！ 9-14 19:55
阿勇(金币+1,VIP+0): 9-15 08:54
不包括. 此均匀电荷背景应该是一种数学处理, 防止带电情况下的库仑发散.
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先进使役材料计算（https://aidme.nimte.ac.cn）
2楼2009-09-14 18:02:20
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人
★ ★ ★ ★
spur(金币+3,VIP+0):谢谢参与！欢迎常来一起讨论！！ 9-14 19:20
阿勇(金币+1,VIP+0): 9-15 08:56
中性或是带电缺陷能的计算都有一定的公式，我不知道LZ所谓的均匀电荷背景是怎么搞上去的。

就我所知，均匀正电荷背景是在电子气模型（或是凝胶模型）中用来抵消电子自作用能时使用的。这是在能带不重要的时候处理宽带金属的一种最简单的模型。当然，从量子多体的角度我们可以引入等离激元、电子空穴对等准粒子的物理图像。

在DFT的计算中，离子一般不能抹平了作为正电荷背景使用（我记得最早仅在用LDA的时候计算过这种体系），而能带效应是重要的。所以LZ可以把你的情况在说一下，主要说明你的均匀电荷背景是怎么来的。个人意见。
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3楼2009-09-14 18:36:00
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lfhuang

木虫 (著名写手)
★
阿勇(金币+1,VIP+0):谢谢 9-15 08:53
引用回帖:
Originally posted by yzcluster at 2009-9-14 18:36:
中性或是带电缺陷能的计算都有一定的公式，我不知道LZ所谓的均匀电荷背景是怎么搞上去的。

就我所知，均匀正电荷背景是在电子气模型（或是凝胶模型）中用来抵消电子自作用能时使用的。这是在能带不重要的时候处 ...

虽然这里的均匀电荷背景也是使用Jellium model,但是这里只是一种数学处理,防止计算带电体系时的库仑发散(对fourier transformation的零阶项进行改动),本身并不引入任何物理影响.和原来jellium model的方法上对应,物理上并不对应. 虽然此方法目前广泛地用于计算带电体系(半导体或绝缘体)的各种性质,虽然也得到了很多非常可靠的结果,但其严格的物理对应还是有待商榷.
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先进使役材料计算（https://aidme.nimte.ac.cn）
4楼2009-09-14 20:36:48
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