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阿勇

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】缺陷形成能

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在计算缺陷带电情况下的形成能,如果一缺陷带电,在计算时,会有一个均匀电荷背景来保持胞的中性,那我计算这个胞的总能包不包括这个均匀电荷背景的能量
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阿勇

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
Originally posted by yzcluster at 2009-9-14 20:51:



可能LS没有明白我的意思。我是指在DFT计算的时候,这个正电背景如何加上。既然是求解带电缺陷的形成能。为什么还要加上正电背景以保持胞的中性?究竟计算的是带电的晶胞还是中性晶胞?我觉的这是一个矛盾。 ...

可能是我的表达不清楚,我举个例子来说,比如我要计算Zn间隙在ZnO中的形成能,为了让Zn间隙带2个单位的正电荷,那我在计算时,INCAR里的总电子数就要比不带电的总电子数减少两个,但为了保持超胞的电中性,必须提供一个均匀的负电荷背景(这个背景在实空间的积分应为两个电荷的电量),因为在做行程能的计算时,需要用到这个间隙带电胞的总能,所以我想问的是这个额外的负电荷背景的能量是否计算到了这个胞的总能里去了。
8楼2009-09-15 09:09:18
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