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阿勇铜虫 (小有名气)
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[交流]
【求助】缺陷形成能
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Sample Text 在计算缺陷带电情况下的形成能，如果一缺陷带电，在计算时，会有一个均匀电荷背景来保持胞的中性，那我计算这个胞的总能包不包括这个均匀电荷背景的能量 |
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spur(金币+3,VIP+0):谢谢参与！欢迎常来一起讨论！！ 9-14 19:20
阿勇(金币+1,VIP+0): 9-15 08:56
spur(金币+3,VIP+0):谢谢参与！欢迎常来一起讨论！！ 9-14 19:20
阿勇(金币+1,VIP+0): 9-15 08:56
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中性或是带电缺陷能的计算都有一定的公式，我不知道LZ所谓的均匀电荷背景是怎么搞上去的。 就我所知，均匀正电荷背景是在电子气模型（或是凝胶模型）中用来抵消电子自作用能时使用的。这是在能带不重要的时候处理宽带金属的一种最简单的模型。当然，从量子多体的角度我们可以引入等离激元、电子空穴对等准粒子的物理图像。 在DFT的计算中，离子一般不能抹平了作为正电荷背景使用（我记得最早仅在用LDA的时候计算过这种体系），而能带效应是重要的。所以LZ可以把你的情况在说一下，主要说明你的均匀电荷背景是怎么来的。个人意见。  |
3楼2009-09-14 18:36:00
lfhuang
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2楼2009-09-14 18:02:20
lfhuang
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4楼2009-09-14 20:36:48
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yjr(金币+3,VIP+0):谢谢！！ 9-15 12:01
yjr(金币+3,VIP+0):谢谢！！ 9-15 12:01
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可能LS没有明白我的意思。我是指在DFT计算的时候，这个正电背景如何加上。既然是求解带电缺陷的形成能。为什么还要加上正电背景以保持胞的中性？究竟计算的是带电的晶胞还是中性晶胞？我觉的这是一个矛盾。 比如说，我计算一个BaTiO3的点缺陷，如果超胞选4*4，在扣掉一个Ba原子后，形成一个Ba原子的空位，自然可以在此基础之上优化，算能带结构等等。退一步，如果体系带电，通过调节带上一个电荷就行了，继续的计算跟不带电的是类似的，比如求解KS方程等等。那么，这个正电荷“背景”是怎么体现的？ 最后，在凝胶模型中，正电荷是当作背景存在的。如果考虑正离子的分立晶格分布，又考虑正电荷背景，岂不意味者正电荷考虑了两次。 总之，我觉得LZ的表示有些混乱，他似乎混淆了DFT理论跟凝胶模型的区别。当然，也可能是我没有想到什么东西。如果LS知道我错在哪里，请指出来。 [ Last edited by yzcluster on 2009-9-14 at 20:53 ] |
5楼2009-09-14 20:51:32
