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阿勇

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】缺陷形成能

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在计算缺陷带电情况下的形成能,如果一缺陷带电,在计算时,会有一个均匀电荷背景来保持胞的中性,那我计算这个胞的总能包不包括这个均匀电荷背景的能量
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人

★ ★ ★
yjr(金币+3,VIP+0):谢谢!! 9-15 12:01
引用回帖:
Originally posted by lfhuang at 2009-9-14 22:32:
可以这么说:(1)加上一个电荷背景,提供一个常数势,这并不影响具体物理性质;(2)加电荷背景是通过修改势能fourier transformation中零阶项来实现;(3)如果数值计算过程中不保持数值上的电中性,reverse fo ...

你的意思我能理解,但我觉得有些含糊不清。我说一下我的想法。你可以看看问题出在什么地方。

1.你说的第一点好理解。但是第二点我觉得有点问题。由于库伦势1/r的傅里叶变换正比于波矢平方倒数,即正比于1/q^{2},所以在q趋于0时的发散能由一个有限的常数势能抵消吗?另外,加上一个电荷保持计算的电中性计算的结果,能在多大程度上体现所感兴趣的带电体系的性质?与真正中性体系有何不同?
2.由于库伦势无论在带电或是不带电的体系都存在,为什么在电中性的体系傅里叶变换不会发散(也就是你所说的第三点)?由于体系可以带正电或是负电,情况一样吗?对于这一点,有没有什么文献介绍一下。谢谢。
3.另外,加上一个电荷背景,跟提供一个常数势我觉得两者并不等价。加上电荷背景,你对这个背景积分一下,肯定会有电荷,相当于你改变了体系的电荷。近似考虑一下,如果仅仅改变一个常数势,相应的电场变化为0(势的梯度),此时由MAXWELL方程,电场的散度(正比于电荷密度)为0,因此你并没有改变体系电荷。另外,根据DFT的基本理论,加上一个常数势并不影响体系基态性质(这个体系未必是电中性的),所以这个常数是似乎没有什么实际意义。

以上是一点个人想法。当然,我觉得我的问题也不是那么容易一下回答清楚。不过,如果能说清的话就会有新的认识。你说呢?
7楼2009-09-15 00:06:56
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lfhuang

木虫 (著名写手)

★ ★
yjr(金币+1,VIP+0):谢谢!! 9-14 19:55
阿勇(金币+1,VIP+0): 9-15 08:54
不包括. 此均匀电荷背景应该是一种数学处理, 防止带电情况下的库仑发散.
先进使役材料计算(https://aidme.nimte.ac.cn)
2楼2009-09-14 18:02:20
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人

★ ★ ★ ★
spur(金币+3,VIP+0):谢谢参与!欢迎常来一起讨论!! 9-14 19:20
阿勇(金币+1,VIP+0): 9-15 08:56
中性或是带电缺陷能的计算都有一定的公式,我不知道LZ所谓的均匀电荷背景是怎么搞上去的。

就我所知,均匀正电荷背景是在电子气模型(或是凝胶模型)中用来抵消电子自作用能时使用的。这是在能带不重要的时候处理宽带金属的一种最简单的模型。当然,从量子多体的角度我们可以引入等离激元、电子空穴对等准粒子的物理图像。

在DFT的计算中,离子一般不能抹平了作为正电荷背景使用(我记得最早仅在用LDA的时候计算过这种体系),而能带效应是重要的。所以LZ可以把你的情况在说一下,主要说明你的均匀电荷背景是怎么来的。个人意见。
3楼2009-09-14 18:36:00
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lfhuang

木虫 (著名写手)


阿勇(金币+1,VIP+0):谢谢 9-15 08:53
引用回帖:
Originally posted by yzcluster at 2009-9-14 18:36:
中性或是带电缺陷能的计算都有一定的公式,我不知道LZ所谓的均匀电荷背景是怎么搞上去的。

就我所知,均匀正电荷背景是在电子气模型(或是凝胶模型)中用来抵消电子自作用能时使用的。这是在能带不重要的时候处 ...

虽然这里的均匀电荷背景也是使用Jellium model,但是这里只是一种数学处理,防止计算带电体系时的库仑发散(对fourier transformation的零阶项进行改动),本身并不引入任何物理影响.和原来jellium model的方法上对应,物理上并不对应. 虽然此方法目前广泛地用于计算带电体系(半导体或绝缘体)的各种性质,虽然也得到了很多非常可靠的结果,但其严格的物理对应还是有待商榷.
先进使役材料计算(https://aidme.nimte.ac.cn)
4楼2009-09-14 20:36:48
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