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阿勇

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】缺陷形成能

Sample Text
在计算缺陷带电情况下的形成能，如果一缺陷带电，在计算时，会有一个均匀电荷背景来保持胞的中性，那我计算这个胞的总能包不包括这个均匀电荷背景的能量
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1楼 2009-09-14 16:43:42
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人
引用回帖:
Originally posted by lfhuang at 2009-9-15 11:18:
谢谢yzcluster的好问题！让我也学到了很多！我又重新看了一下参考书（R.M.Martin,"Electronic structure" Appendix F）， 根据您的三个问题，我尽量回答一二：
（1）您是对的！我说错了，不是加上一个 ...

是的，看了你的回复我大概了解你的意思了。对于马丁的这本书，我很早就打算去看了，可是由于时间的关系一直没看，我自己都不知道我每天都在看一些什么乱七八糟的东西，汗。
我刚从网上搜了一下这个书的目录，感觉这本书应该不是很难，大多都是固体的语言。找个机会好好看一下。呵呵，也欢迎经常来版上多交流。
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10楼2009-09-15 12:32:33
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lfhuang

木虫 (著名写手)
★ ★
yjr(金币+1,VIP+0):谢谢！！ 9-14 19:55
阿勇(金币+1,VIP+0): 9-15 08:54
不包括. 此均匀电荷背景应该是一种数学处理, 防止带电情况下的库仑发散.
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先进使役材料计算（https://aidme.nimte.ac.cn）
2楼2009-09-14 18:02:20
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yzcluster

金虫 (著名写手)

小木虫扫盲人
★ ★ ★ ★
spur(金币+3,VIP+0):谢谢参与！欢迎常来一起讨论！！ 9-14 19:20
阿勇(金币+1,VIP+0): 9-15 08:56
中性或是带电缺陷能的计算都有一定的公式，我不知道LZ所谓的均匀电荷背景是怎么搞上去的。

就我所知，均匀正电荷背景是在电子气模型（或是凝胶模型）中用来抵消电子自作用能时使用的。这是在能带不重要的时候处理宽带金属的一种最简单的模型。当然，从量子多体的角度我们可以引入等离激元、电子空穴对等准粒子的物理图像。

在DFT的计算中，离子一般不能抹平了作为正电荷背景使用（我记得最早仅在用LDA的时候计算过这种体系），而能带效应是重要的。所以LZ可以把你的情况在说一下，主要说明你的均匀电荷背景是怎么来的。个人意见。
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3楼2009-09-14 18:36:00
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lfhuang

木虫 (著名写手)
★
阿勇(金币+1,VIP+0):谢谢 9-15 08:53
引用回帖:
Originally posted by yzcluster at 2009-9-14 18:36:
中性或是带电缺陷能的计算都有一定的公式，我不知道LZ所谓的均匀电荷背景是怎么搞上去的。

就我所知，均匀正电荷背景是在电子气模型（或是凝胶模型）中用来抵消电子自作用能时使用的。这是在能带不重要的时候处 ...

虽然这里的均匀电荷背景也是使用Jellium model,但是这里只是一种数学处理,防止计算带电体系时的库仑发散(对fourier transformation的零阶项进行改动),本身并不引入任何物理影响.和原来jellium model的方法上对应,物理上并不对应. 虽然此方法目前广泛地用于计算带电体系(半导体或绝缘体)的各种性质,虽然也得到了很多非常可靠的结果,但其严格的物理对应还是有待商榷.
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先进使役材料计算（https://aidme.nimte.ac.cn）
4楼2009-09-14 20:36:48
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