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shinejesse

金虫 (小有名气)

[交流] 【交流】质谱日常操作交流

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shinejesse

金虫 (小有名气)


opq691(金币+1,VIP+0):谢谢回帖交流 9-8 11:31
CID 英文是 collision-induced dissociation 碰撞诱导解离。通常在真空接口处调节电压发生CID现象,一般是去除溶剂,如果电压增大,也会产生碎片离子。这是一级质谱的原理。CAD collision-activated dissociation 碰撞活化解离。 做二级质谱时,应该是发生在Q2处吧,选择的母离子的进入Q2后 碰撞活化产生子离子,这个过程称为 CAD。

我们用的API3200,CID指的是Q0里面的诱导碰撞的气体,CAD指的是Q3里面的诱导碰撞气体,也就是说,API里的CID&CAD都是指氮气。
  


  


还有一种叫作:源内CID

在串联质谱还不普及的三年前,很多人夸大单级质谱的作用,比如:单级四极杆、LC-TOF、MALDI-TOF,说,液质你不是只看到分子离子峰么?你不是需要更多的碎片信息么?这里,我就可以做CID(其实是源内CID),给你想要的碎片。然后,他就拿一张标样的图,给你show一下,显示低电压时是分子离子峰,提高skimmer或orifice电压后,就可以得到碎片峰。

后来,人们在真正实验中,认识到我们其实不是在做标样,液质的基质干扰和溶剂本底干扰很大,如果不分离出要的离子,直接作CID,会给出一系列不能解释的峰。

所以,现在大家都喜欢LCMSMS了。

在串联四极杆中,源内CID指在离子源内加一定的电压(Source CID),对化合物的离子化进行优化,可减弱溶剂加合离子的影响。

对于Thermo的TSQ仪器,Source CID建议设置在8-12之间,此外加不加Source CID对信号影响应在20%左右,否则可能是仪器出现问题的征兆。

源内CID不能取代LC-MS-MS(即真正的CID或CAD)
2楼2009-09-05 22:25:07
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exw

木虫 (初入文坛)

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这位同学,你们的API3200有Q0,Q1,Q2,Q3这么多Q啊???

我们的API4000这么只有Q1,Q2,Q3三个四级杆啊,CID和CAD都发生在Q2。

源内CID这个概念是什么时候提出的啊?这个说法与原来的PSD的概念有什么区别啊?
3楼2009-09-06 11:22:11
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shinejesse

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Originally posted by exw at 2009-9-6 11:22:
这位同学,你们的API3200有Q0,Q1,Q2,Q3这么多Q啊???

我们的API4000这么只有Q1,Q2,Q3三个四级杆啊,CID和CAD都发生在Q2。

源内CID这个概念是什么时候提出的啊?这个说法与原来的PSD的概念有什么区别 ...

Q0是离子束在进入四级杆前的一个六级杆装置,相当于离子透镜。源内CID就是在离子源处的离子隔离法处,若电压高可以使得离子片段化。时可以调节的
4楼2009-09-06 15:24:15
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yuzhan

木虫 (正式写手)

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Originally posted by exw at 2009-9-6 11:22:
这位同学,你们的API3200有Q0,Q1,Q2,Q3这么多Q啊???

我们的API4000这么只有Q1,Q2,Q3三个四级杆啊,CID和CAD都发生在Q2。

源内CID这个概念是什么时候提出的啊?这个说法与原来的PSD的概念有什么区别 ...

PSD一般指post source decay(源后分解),一般都只在MALDI-TOF上实现,你们讨论的是QqQ吧。PSD不会在QqQ上实现的。PSD一般是指经过MALDI的解析与离子化后,会产生高内能的离子,这时与内能极低的气体(空气或氮气)碰撞后,导致的分解。虽然看起来与In-source CID很像(无法选择特定离子,都属于低能碰撞分解范围),但是实现的机理是不同的。

QqQ没有用过,LCQ之类的EST-IT MS或者是一般的ESI-TOF上都有In-source CID功能,可能是由于专利或商标的原因,名称不尽相同,但是道理都是一样的。就是在离子刚刚产生后,在通过第一个Orifice时,加入一个低电压(几十到几百左右,不同仪器不一样,我的是ESI-TOF,最高在250V),使离子发生碰撞。产生碰撞的位置距离源很近或属于源的一部分,气压比较高。有时候不止一个Orifice,我的仪器就有两个Orifice可以调节。对于ESI来说,In-source CID可以去除cluster离子的产生,对于提高多肽或蛋白的单电荷离子的强度也有帮助。

个人理解,有不正确的地方请指出,一起提高。
5楼2009-09-06 15:34:43
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shinejesse

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Originally posted by yuzhan at 2009-9-6 15:34:



PSD一般指post source decay(源后分解),一般都只在MALDI-TOF上实现,你们讨论的是QqQ吧。PSD不会在QqQ上实现的。PSD一般是指经过MALDI的解析与离子化后,会产生高内能的离子,这时与内能极低的气体(空气 ...

但是in-source你说是为了不让离子束cluster,这点我不太清楚了,因为我使用的LC-MS-MS是四级杆的,离子化后的去向就是产生具有一点几何形状和能量的离子束,然后会有cluster过程,再离子气相化进入sample cone的,我不知道cluster后进入还是先离子化后cluster进入,貌似有点不理解了。
6楼2009-09-06 16:07:37
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yuzhan

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Originally posted by shinejesse at 2009-9-6 16:07:




但是in-source你说是为了不让离子束cluster,这点我不太清楚了,因为我使用的LC-MS-MS是四级杆的,离子化后的去向就是产生具有一点几何形状和能量的离子束,然后会有cluster过程,再离子气相化进入sample ...

抱歉,没十分看懂你的帖子。先问几个问题。

“离子束”是什么?ion beam?

“一点几何形状和能量”是什么?什么样的几何形状?我从没看到过描述过离子几何形状的,可否详细说明?

我所指的是ESI源,如果你的仪器是传统的EI或CI的话,我就不知道了,因为没有用过。

毫无疑问cluster是在电喷雾过程中产生的,产生的单独的离子一般不会在结合成cluster了,注意是在一般情况下,不排除在极特殊条件下。道理很简单,两个离子如果可以结合成cluster的话,它们之间的距离应该在它们van der waal 半径之和这个级别,那么通过简单的计算就能知道,这两个离子之间的斥力将会有多么的巨大。
7楼2009-09-06 16:27:40
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shinejesse

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Originally posted by yuzhan at 2009-9-6 16:27:



抱歉,没十分看懂你的帖子。先问几个问题。

“离子束”是什么?ion beam?

“一点几何形状和能量”是什么?什么样的几何形状?我从没看到过描述过离子几何形状的,可否详细说明?

我所指的是ESI源 ...

离子源的作用是将被分析的样品分子电离成带电的离子,并使这些离子在离子光学系统的作用下,汇聚成有一定几何形状和一定能量的离子束,然后进入质量分析器被分离。其性能直接影响质谱仪的灵敏度和分辨率。离子源的选择主要依据被分析物的热稳定性和电离的难易程度,以期得到分子离子峰。

我想离子束应该是指样品分子离子化后在运行中的一种形态描述。
cluster过程是ESI离子化样品为气相离子后,当进入一级真空时,会膨胀,而蒸气在膨胀时会冷却,可能导致在被分析物离子上的溶剂冻结从而生成各种质量数的cluster离子。

我就纳闷了,难道溶剂也进入一级真空了,不是气相离子进入取样锥孔区也就是一级真空吗?此时溶剂应该蒸发了呀。。。
8楼2009-09-06 17:28:42
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yuzhan

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Originally posted by shinejesse at 2009-9-6 17:28:
离子源的作用是将被分析的样品分子电离成带电的离子,并使这些离子在离子光学系统的作用下,汇聚成有一定几何形状和一定能量的离子束,然后进入质量分析器被分离。其性能直接影响质谱仪的灵敏度和分辨率。离 ...

非常高兴遇到一个较真的人。

[离子源的作用..分子离子峰]这一段不知道出处是哪里,但是有一点可以确定的是,离子源的作用除了电离(ionization)外,还应该具有解吸(desorption)的功能。MALDI与ESI是最典型的代表。

我个人认为,离子束这个词是对“ion beam”的直接翻译,所以应该对应是EI源,现在无论MALDI与ESI,用这个词来描述离子化过程都是不准确的。

cluster是很常见的,你所说的是一个主要原因,另一个次要原因就是溶剂的粘度比较大,溶剂分子间作用较强,换成甲醇之后就会减少很多。除了ESI之外,APCI也可以发现,最常见的水的cluster。感兴趣的话,在一个潮湿的天气下,将你们的源拆掉,在sampling cone前放一个金属丝,通上3.0kv左右的直流电,就会看到水的cluster。

溶剂进入真空是正常的,但是中性是不会被检测到的。感兴趣的话,可以将你们仪器的源拆掉,改为大气压下开放的ESI,使ESI直接对着sampling cone喷,也会检测到信号。BTW:ESI的emitter与sampling cone成90度时效果更好,micromass的z-spray就是这样的,但是你们的仪器是thermo的吧?thermo一般都是正对着sampling cone喷。
9楼2009-09-06 18:14:36
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10楼2009-09-07 09:30:56
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