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shinejesse金虫 (小有名气)
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shinejesse
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离子源的作用是将被分析的样品分子电离成带电的离子，并使这些离子在离子光学系统的作用下，汇聚成有一定几何形状和一定能量的离子束，然后进入质量分析器被分离。其性能直接影响质谱仪的灵敏度和分辨率。离子源的选择主要依据被分析物的热稳定性和电离的难易程度，以期得到分子离子峰。 我想离子束应该是指样品分子离子化后在运行中的一种形态描述。 cluster过程是ESI离子化样品为气相离子后，当进入一级真空时，会膨胀，而蒸气在膨胀时会冷却，可能导致在被分析物离子上的溶剂冻结从而生成各种质量数的cluster离子。 我就纳闷了，难道溶剂也进入一级真空了，不是气相离子进入取样锥孔区也就是一级真空吗？此时溶剂应该蒸发了呀。。。 |
8楼2009-09-06 17:28:42
shinejesse
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CID 英文是 collision－induced dissociation 碰撞诱导解离。通常在真空接口处调节电压发生CID现象，一般是去除溶剂，如果电压增大，也会产生碎片离子。这是一级质谱的原理。CAD collision-activated dissociation 碰撞活化解离。 做二级质谱时，应该是发生在Q2处吧，选择的母离子的进入Q2后 碰撞活化产生子离子，这个过程称为 CAD。 我们用的API3200，CID指的是Q0里面的诱导碰撞的气体，CAD指的是Q3里面的诱导碰撞气体，也就是说，API里的CID&CAD都是指氮气。 还有一种叫作：源内CID 在串联质谱还不普及的三年前，很多人夸大单级质谱的作用，比如：单级四极杆、LC-TOF、MALDI-TOF，说，液质你不是只看到分子离子峰么？你不是需要更多的碎片信息么？这里，我就可以做CID（其实是源内CID），给你想要的碎片。然后，他就拿一张标样的图，给你show一下，显示低电压时是分子离子峰，提高skimmer或orifice电压后，就可以得到碎片峰。 后来，人们在真正实验中，认识到我们其实不是在做标样，液质的基质干扰和溶剂本底干扰很大，如果不分离出要的离子，直接作CID，会给出一系列不能解释的峰。 所以，现在大家都喜欢LCMSMS了。 在串联四极杆中，源内CID指在离子源内加一定的电压（Source CID），对化合物的离子化进行优化，可减弱溶剂加合离子的影响。 对于Thermo的TSQ仪器，Source CID建议设置在8-12之间，此外加不加Source CID对信号影响应在20％左右，否则可能是仪器出现问题的征兆。 源内CID不能取代LC-MS-MS（即真正的CID或CAD） |
2楼2009-09-05 22:25:07
3楼2009-09-06 11:22:11
shinejesse
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4楼2009-09-06 15:24:15
