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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料其他 » 关于磁控溅射沉积薄膜中功率变化对薄膜成分的影响，求教各位大佬！
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zxy3235566

新虫 (初入文坛)

[求助] 关于磁控溅射沉积薄膜中功率变化对薄膜成分的影响，求教各位大佬！ 已有2人参与

用的是RF磁控溅射设备，靶材是高熵合金（TiVCrNbSiTaBY），随着我增加功率，薄膜中比较轻的一个元素（Si）含量上升了，做的是氮化物薄膜，请各位大佬指点一下该怎么解释呀？
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1楼 2022-03-07 14:57:00
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zxy3235566

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by bluegenes at 2022-03-29 23:27:11
磁控溅射本质上类似于打台球，用Ar离子作白球，靶材做其他球，靶材中的轻质元素相对容易轰击出来

感谢您的回答，我看过类似的文章，我的理解是在其他不变的情况下，靶材中轻质元素更易被溅射，如靶材是TI50%Si50%，那么得到的涂层可能是Ti55%Si55%，但我现在增加了功率，为什么Si含量会随着功率的增加而增加呢~希望能再解答一下
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7楼2022-04-12 22:09:33
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zxy3235566

新虫 (初入文坛)
有做磁控的大佬解答一下嘛，困惑好久了~~~
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2楼2022-03-08 19:16:12
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kangye_1989

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
均匀性如何，是不是出现偏析了
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3楼2022-03-10 12:57:47
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zxy3235566

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by kangye_1989 at 2022-03-10 12:57:47
均匀性如何，是不是出现偏析了

是均匀的，就是想知道有没有文献提过功率变高会更容易沉积轻元素的，麻烦大佬指点一下。
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4楼2022-03-10 18:44:44
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