| 查看: 1732 | 回复: 10 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
| 【有奖交流】积极回复本帖子，参与交流，就有机会分得作者 han0406105 的 4 个金币 | |||
[交流]
【求助】关于晶体硅扩散死层
|
|||
|
请教大家一下，晶体硅太阳能电池中扩散死层是怎么形成的，怎样去判断形成的P-N结是不是好的，是不是有死层？ 还有就是说通过扩散前氧化可以减少死层的形成，这是什么原理 |
回复此楼» 猜你喜欢
没有任何消息-是不是就凉了
已经有5人回复
-
如果此刻你正在为国基感到焦虑，不妨来听听这首《基金之外》
已经有5人回复
-
2026国自然函评费到账
已经有19人回复
-
能否退出参与的面上项目解除限项
已经有21人回复
-
建议基金发布提前给出明确的时间点
已经有16人回复
-
今日不放榜？网传国自然预计 8 月 27 日可查结果
已经有21人回复
-
估计是周四
已经有4人回复
-
我面上完蛋了
已经有9人回复
-
范进中举一文的中心思想
已经有7人回复
-
朋友圈看到的
已经有9人回复
★ ★ ★ ★ ★ ★
ddx-k(金币+3,VIP+0):谢谢你的总结。 7-24 18:30
han0406105(金币+3,VIP+0):谢谢 7-24 19:16
ddx-k(金币+3,VIP+0):谢谢你的总结。 7-24 18:30
han0406105(金币+3,VIP+0):谢谢 7-24 19:16
| 大家的交流使我对“死层”有了更深刻的理解，死层产生的原因，userhung版主已经解释很清楚了，对于n＋/p常规硅太阳能电池的发射区一般是通过P扩散形成的浅结区域，由于在扩散区P处于晶格间隙位置，容易引起晶格畸变，而且由于P与Si的原子半径不匹配，也容易出现失配，因此该区域活性比较大，容易吸引杂质，会成为少数载流子的复合中心，从而降低少子寿命，一般把发射结深做的浅一点0.1um可以避免这种现象，但是这样会增大串联电阻。死层的存在是无法避免的，只能通过一定的工艺减少死层的产生，透氧化层P扩散是方法之一（先形成氧化层，再进行P扩散），原因ddx-k版主已经解释清楚了。 |
6楼2009-07-24 17:07:32
userhung
禁虫 (文学泰斗)
木虫博士
- 应助: 1505 (讲师)
- 贵宾: 1.347
- 金币: 107941
- 红花: 241
- 沙发: 413
- 帖子: 122982
- 在线: 4265.2小时
- 虫号: 119626
- 注册: 2005-11-28
- 专业: 粒子物理学和场论
2楼2009-07-22 21:10:52
3楼2009-07-22 21:23:18
4楼2009-07-22 22:08:13
5楼2009-07-24 15:57:51
7楼2009-07-24 19:17:54
斑点猫
木虫 (正式写手)
- 应助: 8 (幼儿园)
- 金币: 3298.9
- 红花: 1
- 帖子: 683
- 在线: 94.9小时
- 虫号: 583575
- 注册: 2008-07-25
- 专业: 科技哲学/科技写作/科普写
8楼2009-07-24 19:51:48
9楼2009-07-27 16:46:05
frankwang583
金虫 (正式写手)
- 应助: 0 (幼儿园)
- 金币: 9797.5
- 红花: 1
- 帖子: 744
- 在线: 63.3小时
- 虫号: 542891
- 注册: 2008-04-10
- 性别: GG
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
10楼2009-08-03 15:02:27
