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han0406105

铜虫 (初入文坛)

[交流] 【求助】关于晶体硅扩散死层

请教大家一下,晶体硅太阳能电池中扩散死层是怎么形成的,怎样去判断形成的P-N结是不是好的,是不是有死层?
还有就是说通过扩散前氧化可以减少死层的形成,这是什么原理
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lifeilong

铜虫 (初入文坛)

★ ★ ★ ★ ★ ★
ddx-k(金币+3,VIP+0):谢谢你的总结。 7-24 18:30
han0406105(金币+3,VIP+0):谢谢 7-24 19:16
大家的交流使我对“死层”有了更深刻的理解,死层产生的原因,userhung版主已经解释很清楚了,对于n+/p常规硅太阳能电池的发射区一般是通过P扩散形成的浅结区域,由于在扩散区P处于晶格间隙位置,容易引起晶格畸变,而且由于P与Si的原子半径不匹配,也容易出现失配,因此该区域活性比较大,容易吸引杂质,会成为少数载流子的复合中心,从而降低少子寿命,一般把发射结深做的浅一点0.1um可以避免这种现象,但是这样会增大串联电阻。死层的存在是无法避免的,只能通过一定的工艺减少死层的产生,透氧化层P扩散是方法之一(先形成氧化层,再进行P扩散),原因ddx-k版主已经解释清楚了。
6楼2009-07-24 17:07:32
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普通回帖

userhung

禁虫 (文学泰斗)

木虫博士

★ ★ ★ ★ ★ ★
ddx-k(金币+3,VIP+0):谢谢 7-22 21:20
han0406105(金币+3,VIP+0):谢谢你的解释 7-22 22:05
过高的表面杂质浓度会造成“死层”.“死层”中存在着大量的填隙原子、位错和缺陷,少子寿命远低于1ns以下.光在“死层”中发出的光生载流子都无谓地复合掉,导致效率下降.降低表面杂质浓度,减少缺陷,是提高效率的有效途径
2楼2009-07-22 21:10:52
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II

★ ★ ★
han0406105(金币+3,VIP+0):谢谢你的解释 7-22 22:05
直接扩散主要会造成表层p的浓度过高,而先生成siO2可以促使p的均匀分布减少由于扩散引起的缺陷。
3楼2009-07-22 21:23:18
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han0406105

铜虫 (初入文坛)

但是我还有一点不太明白,就是P通过Sio2的扩散和直接的扩散有什么不同之处,为什么有了Sio2之后P就能够分布的更加均匀,而且表面浓度会降低呢

[ Last edited by han0406105 on 2009-7-24 at 19:18 ]
4楼2009-07-22 22:08:13
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II

★ ★ ★
han0406105(金币+3,VIP+0):谢谢 7-24 19:16
1.siO2中p的固溶度低于si。
2.其实扩散过程是这样的:先表面扩散p;生成sio2;由于1.的原因,p会被赶进si里面,这样表面浓度不用很大就可以得到想要扩散的深度了。
3.现在的电池一般都是浅结了,实验上也是浅结的电池性能更好。
5楼2009-07-24 15:57:51
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han0406105

铜虫 (初入文坛)

现在有的扩散工艺是先氧化,然后高温扩散,之后再氧化,再低温扩散,我想问一下这样有什么好处啊
7楼2009-07-24 19:17:54
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斑点猫

木虫 (正式写手)

★ ★
han0406105(金币+2,VIP+0):谢谢你的解释,能不能更加具体一点啊 7-25 12:48
形成畅通的传质通道,避免元素富集而形成载流子复合中心或界面电阻!
8楼2009-07-24 19:51:48
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han0406105

铜虫 (初入文坛)

关于扩散死层,不知道大家有没有这方面的书籍或者资料啊,能不能给推荐一下 啊
9楼2009-07-27 16:46:05
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frankwang583

金虫 (正式写手)

★ ★
han0406105(金币+2,VIP+0):谢谢 8-3 18:53
:dnd:先侃侃老马基本的那本
一个从事研发太阳能电池8.5年后,现在失业的胖子。
10楼2009-08-03 15:02:27
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