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[交流]
【求助】关于晶体硅扩散死层
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请教大家一下，晶体硅太阳能电池中扩散死层是怎么形成的，怎样去判断形成的P-N结是不是好的，是不是有死层？ 还有就是说通过扩散前氧化可以减少死层的形成，这是什么原理 |
回复此楼
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ddx-k(金币+3,VIP+0):谢谢你的总结。 7-24 18:30
han0406105(金币+3,VIP+0):谢谢 7-24 19:16
ddx-k(金币+3,VIP+0):谢谢你的总结。 7-24 18:30
han0406105(金币+3,VIP+0):谢谢 7-24 19:16
| 大家的交流使我对“死层”有了更深刻的理解，死层产生的原因，userhung版主已经解释很清楚了，对于n＋/p常规硅太阳能电池的发射区一般是通过P扩散形成的浅结区域，由于在扩散区P处于晶格间隙位置，容易引起晶格畸变，而且由于P与Si的原子半径不匹配，也容易出现失配，因此该区域活性比较大，容易吸引杂质，会成为少数载流子的复合中心，从而降低少子寿命，一般把发射结深做的浅一点0.1um可以避免这种现象，但是这样会增大串联电阻。死层的存在是无法避免的，只能通过一定的工艺减少死层的产生，透氧化层P扩散是方法之一（先形成氧化层，再进行P扩散），原因ddx-k版主已经解释清楚了。 |
6楼2009-07-24 17:07:32
userhung
禁虫 (文学泰斗)
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7楼2009-07-24 19:17:54
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8楼2009-07-24 19:51:48
9楼2009-07-27 16:46:05
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10楼2009-08-03 15:02:27