24小时热门版块排行榜

>论坛更新日志 (3774)
>虫友互识 (616)
>休闲灌水 (227)
>文献求助 (147)
>导师招生 (145)
>硕博家园 (65)
>论文投稿 (50)
>基金申请 (48)
>博后之家 (45)
>论文道贺祈福 (44)
>考博 (43)
>考研 (40)
>教师之家 (34)
>找工作 (30)
>招聘信息布告栏 (20)
>公派出国 (20)

返回列表

当前主题已经存档。

【有奖交流】积极回复本帖子，参与交流，就有机会分得作者 han0406105 的 4 个金币

当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

han0406105

铜虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 104
帖子: 35
在线: 1.1小时
虫号: 602966
注册: 2008-09-15

[交流] 【求助】关于晶体硅扩散死层

请教大家一下，晶体硅太阳能电池中扩散死层是怎么形成的，怎样去判断形成的P-N结是不是好的，是不是有死层？
还有就是说通过扩散前氧化可以减少死层的形成，这是什么原理

回复此楼

» 猜你喜欢

1楼 2009-07-22 10:18:39

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

lifeilong

铜虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 74.5
帖子: 22
在线:
虫号: 740687
注册: 2009-04-05

★ ★ ★ ★ ★ ★
ddx-k(金币+3,VIP+0):谢谢你的总结。 7-24 18:30
han0406105(金币+3,VIP+0):谢谢 7-24 19:16

大家的交流使我对“死层”有了更深刻的理解，死层产生的原因，userhung版主已经解释很清楚了，对于n＋/p常规硅太阳能电池的发射区一般是通过P扩散形成的浅结区域，由于在扩散区P处于晶格间隙位置，容易引起晶格畸变，而且由于P与Si的原子半径不匹配，也容易出现失配，因此该区域活性比较大，容易吸引杂质，会成为少数载流子的复合中心，从而降低少子寿命，一般把发射结深做的浅一点0.1um可以避免这种现象，但是这样会增大串联电阻。死层的存在是无法避免的，只能通过一定的工艺减少死层的产生，透氧化层P扩散是方法之一（先形成氧化层，再进行P扩散），原因ddx-k版主已经解释清楚了。