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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 新能源材料 » 【求助】关于晶体硅扩散死层
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han0406105

铜虫 (初入文坛)

[交流] 【求助】关于晶体硅扩散死层

请教大家一下，晶体硅太阳能电池中扩散死层是怎么形成的，怎样去判断形成的P-N结是不是好的，是不是有死层？
还有就是说通过扩散前氧化可以减少死层的形成，这是什么原理
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1楼 2009-07-22 10:18:39
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frankwang583

金虫 (正式写手)
★ ★
han0406105(金币+2,VIP+0):谢谢 8-3 18:53
:dnd:先侃侃老马基本的那本
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一个从事研发太阳能电池8.5年后，现在失业的胖子。
10楼2009-08-03 15:02:27
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userhung

禁虫 (文学泰斗)

木虫博士
★ ★ ★ ★ ★ ★
ddx-k(金币+3,VIP+0):谢谢 7-22 21:20
han0406105(金币+3,VIP+0):谢谢你的解释 7-22 22:05
过高的表面杂质浓度会造成“死层”.“死层”中存在着大量的填隙原子、位错和缺陷，少子寿命远低于1ns以下.光在“死层”中发出的光生载流子都无谓地复合掉，导致效率下降.降低表面杂质浓度，减少缺陷，是提高效率的有效途径
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2楼2009-07-22 21:10:52
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II
★ ★ ★
han0406105(金币+3,VIP+0):谢谢你的解释 7-22 22:05
直接扩散主要会造成表层p的浓度过高，而先生成siO2可以促使p的均匀分布减少由于扩散引起的缺陷。
赞一下(3人) 回复此楼
3楼2009-07-22 21:23:18
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han0406105

铜虫 (初入文坛)
但是我还有一点不太明白，就是P通过Sio2的扩散和直接的扩散有什么不同之处，为什么有了Sio2之后P就能够分布的更加均匀，而且表面浓度会降低呢

[ Last edited by han0406105 on 2009-7-24 at 19:18 ]
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4楼2009-07-22 22:08:13
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