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五彩流氓

金虫 (初入文坛)


[交流] Si 纳米线 目前感觉现在研究的人很少 是什么原因导致的?

据我目前调研  Si纳米线 由于悬挂键导致的表面重组或者表面态 使其由半导体转变成导体  为了消除表面悬挂键  

一开始 是通过加热Si纳米线 使其表面被空气氧化 形成SiO2的方法消除表面态,但是 由于钝化氧化层是非晶的  导致Si与SiO2的界面散射增大,导致电导下降。

后来,人们通过用HF消除Si纳米线表面的氧化层,然后通过氢气,用H来饱和Si表面的悬挂键,这样的氢钝化的Si纳米线,既保持了Si纳米线原有的半导体属性,而且还提高了它的迁移率(mobility),但是这种方法也有弊端,就是通过氢钝化的Si纳米线是不稳定的,在空气中只能放置不超过7个小时。

再后来,人们为了解决氢钝化Si纳米线的劣势,通过两种方法钝化Si纳米线

1. 通过卤素钝化的Si纳米线,通过I, Br, Cl元素来代替H元素,这样既可以在空气中稳定存在(稳定保持大概700小时),还保持了Si纳米线原有的半导体属性,虽然用卤素钝化的Si纳米线的bandgap 会比氢钝化的小一点,但这个完全不是问题。

2. 通过有机分子钝化Si纳米线,CH3或者一种有机链(具体忘了是什么了)来替代H,产生的效果好像与卤素的一样。

所以我想问一下 既然卤素钝化与有机分子钝化的Si纳米线实现的效果这么好的话,为什么目前感觉很少人在研究了呢?   期望有大神帮我解答一下  谢谢。
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syhorchid2楼
2019-04-24 17:25   回复  
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tzynew5楼
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