24小时热门版块排行榜

返回列表

当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

五彩流氓

金虫 (初入文坛)

应助: 1 (幼儿园)
金币: 582.5
帖子: 9
在线: 8.7小时
虫号: 1647816

[交流] Si 纳米线目前感觉现在研究的人很少是什么原因导致的？

据我目前调研  Si纳米线由于悬挂键导致的表面重组或者表面态使其由半导体转变成导体  为了消除表面悬挂键

一开始是通过加热Si纳米线使其表面被空气氧化形成SiO2的方法消除表面态，但是由于钝化氧化层是非晶的  导致Si与SiO2的界面散射增大，导致电导下降。

后来，人们通过用HF消除Si纳米线表面的氧化层，然后通过氢气，用H来饱和Si表面的悬挂键，这样的氢钝化的Si纳米线，既保持了Si纳米线原有的半导体属性，而且还提高了它的迁移率（mobility），但是这种方法也有弊端，就是通过氢钝化的Si纳米线是不稳定的，在空气中只能放置不超过7个小时。

再后来，人们为了解决氢钝化Si纳米线的劣势，通过两种方法钝化Si纳米线

1. 通过卤素钝化的Si纳米线，通过I, Br, Cl元素来代替H元素，这样既可以在空气中稳定存在（稳定保持大概700小时），还保持了Si纳米线原有的半导体属性，虽然用卤素钝化的Si纳米线的bandgap 会比氢钝化的小一点，但这个完全不是问题。

2. 通过有机分子钝化Si纳米线，CH3或者一种有机链（具体忘了是什么了）来替代H，产生的效果好像与卤素的一样。

所以我想问一下既然卤素钝化与有机分子钝化的Si纳米线实现的效果这么好的话，为什么目前感觉很少人在研究了呢？期望有大神帮我解答一下  谢谢。

回复此楼