| 查看: 1455 | 回复: 2 | |||
[交流]
请问一个关于肖特基接触,电子/空穴流向的问题 已有1人参与
|
|
经过学习,已经知道N-半导体与金属接触后,因为费米能级的不同,电子将会由半导体流向金属,产生肖特基势垒。势垒会阻挡电子从金属移动回半导体方向, 那问题来了,根据能带图,可以看到电子阻挡层(肖特基势垒)是一个高耸的形状,因此是不是也会阻挡电子由半导体流向金属,也就是说如果给半导体这边电子,也难以流到金属那边去?麻烦各位大神了。 |
» 猜你喜欢
为橡胶、塑料以及高分子等材料提供免费实验(支持寄料打样)
已经有1人回复
273求调剂
已经有4人回复
有机高分子材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有112人回复
本科太原理工采矿工程,求调剂
已经有4人回复
304分材料专硕求调剂
已经有14人回复
材料 336 求调剂
已经有4人回复
求调剂 材料专业
已经有3人回复
309求调剂 一志愿东华大学
已经有12人回复
福建理工大学招收材科学硕调剂
已经有10人回复
福建理工大学学硕调剂
已经有0人回复
Feature Paper Invitation [Materials] (IF: 3.2, CiteScore: 6.4) 征稿
已经有25人回复
2楼2018-09-15 14:29:04
3楼2018-09-15 14:47:02










回复此楼