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SCUT1995

新虫 (初入文坛)

[交流] 请问一个关于肖特基接触,电子/空穴流向的问题 已有1人参与

经过学习,已经知道N-半导体与金属接触后,因为费米能级的不同,电子将会由半导体流向金属,产生肖特基势垒。势垒会阻挡电子从金属移动回半导体方向,

那问题来了,根据能带图,可以看到电子阻挡层(肖特基势垒)是一个高耸的形状,因此是不是也会阻挡电子由半导体流向金属,也就是说如果给半导体这边电子,也难以流到金属那边去?麻烦各位大神了。
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微沫小兮

银虫 (初入文坛)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
半导体中受激发的电子处于高能态,也就是热电子。具有高于肖特基势垒的能量,所以可以传输到金属上。

发自小木虫Android客户端
2楼2018-09-15 14:29:04
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SCUT1995

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 微沫小兮 at 2018-09-15 14:29:04
半导体中受激发的电子处于高能态,也就是热电子。具有高于肖特基势垒的能量,所以可以传输到金属上。

非常感谢!!!
3楼2018-09-15 14:47:02
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