| 查看: 1444 | 回复: 2 | |||
[交流]
请问一个关于肖特基接触,电子/空穴流向的问题 已有1人参与
|
|
经过学习,已经知道N-半导体与金属接触后,因为费米能级的不同,电子将会由半导体流向金属,产生肖特基势垒。势垒会阻挡电子从金属移动回半导体方向, 那问题来了,根据能带图,可以看到电子阻挡层(肖特基势垒)是一个高耸的形状,因此是不是也会阻挡电子由半导体流向金属,也就是说如果给半导体这边电子,也难以流到金属那边去?麻烦各位大神了。 |
» 猜你喜欢
24届毕业生博士机会求助
已经有0人回复
26/27申博自荐-锂/钠电池方向
已经有4人回复
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有217人回复
西安交通大学转化医学研究院蔡文课题组招收2027年秋季入学申请-考核制博士生
已经有0人回复
西安交通大学转化医学研究院蔡文课题组招收2027年秋季入学推荐免试硕士生
已经有2人回复
MDPI 多期刊联合专题征稿
已经有1人回复
MDPI 多期刊联合专题征稿—AI 材料
已经有0人回复
磁性材料及器件期刊投稿评审意见帮忙指导
已经有4人回复
求博导推荐
已经有1人回复
2楼2018-09-15 14:29:04
3楼2018-09-15 14:47:02










回复此楼