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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料物理 » 请问一个关于肖特基接触，电子/空穴流向的问题
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SCUT1995

新虫 (初入文坛)

[交流] 请问一个关于肖特基接触，电子/空穴流向的问题 已有1人参与

经过学习，已经知道N-半导体与金属接触后，因为费米能级的不同，电子将会由半导体流向金属，产生肖特基势垒。势垒会阻挡电子从金属移动回半导体方向，

那问题来了，根据能带图，可以看到电子阻挡层（肖特基势垒）是一个高耸的形状，因此是不是也会阻挡电子由半导体流向金属，也就是说如果给半导体这边电子，也难以流到金属那边去？麻烦各位大神了。
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1楼 2018-09-15 11:41:54
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微沫小兮

银虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
半导体中受激发的电子处于高能态，也就是热电子。具有高于肖特基势垒的能量，所以可以传输到金属上。

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2楼2018-09-15 14:29:04
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SCUT1995

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 微沫小兮 at 2018-09-15 14:29:04
半导体中受激发的电子处于高能态，也就是热电子。具有高于肖特基势垒的能量，所以可以传输到金属上。

非常感谢！！！
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3楼2018-09-15 14:47:02
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