| 查看: 1472 | 回复: 2 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
请问一个关于肖特基接触，电子/空穴流向的问题 已有1人参与
|
|||
|
经过学习，已经知道N-半导体与金属接触后，因为费米能级的不同，电子将会由半导体流向金属，产生肖特基势垒。势垒会阻挡电子从金属移动回半导体方向， 那问题来了，根据能带图，可以看到电子阻挡层（肖特基势垒）是一个高耸的形状，因此是不是也会阻挡电子由半导体流向金属，也就是说如果给半导体这边电子，也难以流到金属那边去？麻烦各位大神了。 |
回复此楼» 猜你喜欢
西安交通大学转化医学研究院蔡文课题组招收2027年秋季入学推荐免试硕士生
已经有2人回复
-
MDPI 多期刊联合专题征稿
已经有1人回复
-
有机高分子材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有172人回复
-
MDPI 多期刊联合专题征稿—AI 材料
已经有0人回复
-
求博导推荐
已经有1人回复
-
基金放榜前
已经有38人回复
-
西安交通大学蔡文课题组招收2027年秋季入学申请-考核制博士生
已经有0人回复
-
西安交通大学蔡文课题组招收联合培养博士研究生和硕士研究生
已经有0人回复
3楼2018-09-15 14:47:02
2楼2018-09-15 14:29:04