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【求助】关于CASTAP中CO在Pd表面吸附例子的问题
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我看了最常见的castap的例子，CO在Pd表面吸附。 为什么在切割完加真空层后得进行以下操作： 选择Lattice Parameters选项。选择Advanced标签，按下Reorient to standard按钮，在3D model document中单击右键，选择在Display Style。然后选中Lattice标签，在Display中，把Style从Default改为Origina。再按下Up 指针键两次 这样做的目的是什么？ 改变显示后，少了几原子， 没发现哪儿有什么UP指针啊 如果直接在加完真空层后进行优化，这样行不行？ [ Last edited by freshgirl on 2009-6-21 at 20:48 ] |
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