24小时热门版块排行榜

返回列表

当前主题已经存档。

当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

375713000

木虫 (正式写手)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 2919.7
散金: 300
红花: 2
帖子: 633
在线: 67.4小时
虫号: 597942
注册: 2008-09-10
专业: 能源化工

[交流] 【求助】关于CASTAP中CO在Pd表面吸附例子的问题

我看了最常见的castap的例子，CO在Pd表面吸附。
为什么在切割完加真空层后得进行以下操作：

选择Lattice Parameters选项。选择Advanced标签，按下Reorient to standard按钮，在3D model document中单击右键，选择在Display Style。然后选中Lattice标签，在Display中，把Style从Default改为Origina。再按下Up 指针键两次

这样做的目的是什么？改变显示后，少了几原子，没发现哪儿有什么UP指针啊

如果直接在加完真空层后进行优化，这样行不行？

[ Last edited by freshgirl on 2009-6-21 at 20:48 ]

回复此楼

» 猜你喜欢

面上提前没消息，有中的吗已经有14人回复
这种情况还有戏吗已经有12人回复
微信指数没变化，科研之友没阅读已经有19人回复
准备明年的基金了已经有7人回复
面上再次挂了，太难了，躺也躺不了，倦也卷不过，小学校之殇！已经有24人回复
2026年国自然面上资助率已经有21人回复
基础研究怎么拉横向，学校到款任务越来越多，难以完成拉横向，都有哪些途径啊已经有10人回复
2027年申博已经有3人回复
一个有机合成实验室都需要哪些设备？已经有7人回复
HXDI做水性聚氨酯乳液，是不是特别容易出渣已经有3人回复

只要我不醒来，世界就不存在

1楼 2009-03-25 10:45:04

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

vbaov

木虫 (著名写手)

应助: 6 (幼儿园)
贵宾: 0.01
金币: 9530.6
红花: 3
帖子: 1783
在线: 334.8小时
虫号: 449557
注册: 2007-11-02
性别: GG
专业: 金属非晶态、准晶和纳米晶

★ ★ ★
375713000(金币+2,VIP+0):我上面咋找不到呢，在那儿有向上箭头，麻烦您了啊 3-25 18:05
qasd(金币+1,VIP+0):xiexie~ 3-25 21:17

引用回帖:

Originally posted by 375713000 at 2009-3-25 10:45:
我看了最常见的castap的例子，CO在Pd表面吸附。
为什么在切割完加真空层后得进行以下操作：

选择Lattice Parameters选项。选择Advanced标签，按下Reorient to standard按钮，在3D model document中单击右键 ...

up就是向上的那个方向键，这样的操作为的是节省计算的时间，其表现的晶胞是一样的，只不过是换了一种表现形式而已