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375713000

木虫 (正式写手)

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[交流] 【求助】关于CASTAP中CO在Pd表面吸附例子的问题

我看了最常见的castap的例子，CO在Pd表面吸附。
为什么在切割完加真空层后得进行以下操作：

选择Lattice Parameters选项。选择Advanced标签，按下Reorient to standard按钮，在3D model document中单击右键，选择在Display Style。然后选中Lattice标签，在Display中，把Style从Default改为Origina。再按下Up 指针键两次

这样做的目的是什么？改变显示后，少了几原子，没发现哪儿有什么UP指针啊

如果直接在加完真空层后进行优化，这样行不行？

[ Last edited by freshgirl on 2009-6-21 at 20:48 ]

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只要我不醒来，世界就不存在

1楼 2009-03-25 10:45:04

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vbaov

木虫 (著名写手)

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375713000(金币+2,VIP+0):我上面咋找不到呢，在那儿有向上箭头，麻烦您了啊 3-25 18:05
qasd(金币+1,VIP+0):xiexie~ 3-25 21:17

引用回帖:

Originally posted by 375713000 at 2009-3-25 10:45:
我看了最常见的castap的例子，CO在Pd表面吸附。
为什么在切割完加真空层后得进行以下操作：

选择Lattice Parameters选项。选择Advanced标签，按下Reorient to standard按钮，在3D model document中单击右键 ...

up就是向上的那个方向键，这样的操作为的是节省计算的时间，其表现的晶胞是一样的，只不过是换了一种表现形式而已