| 查看: 518 | 回复: 4 | |||
| 当前主题已经存档。 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
375713000木虫 (正式写手)
|
[交流]
【求助】关于CASTAP中CO在Pd表面吸附例子的问题
|
||
|
我看了最常见的castap的例子，CO在Pd表面吸附。 为什么在切割完加真空层后得进行以下操作： 选择Lattice Parameters选项。选择Advanced标签，按下Reorient to standard按钮，在3D model document中单击右键，选择在Display Style。然后选中Lattice标签，在Display中，把Style从Default改为Origina。再按下Up 指针键两次 这样做的目的是什么？ 改变显示后，少了几原子， 没发现哪儿有什么UP指针啊 如果直接在加完真空层后进行优化，这样行不行？ [ Last edited by freshgirl on 2009-6-21 at 20:48 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全
已经有4人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全
已经有5人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全
已经有5人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全
已经有5人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全
已经有6人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全
已经有6人回复
-
售SCI一区文章，我:8 O5 51O 54,科目齐全
已经有6人回复
vbaov
木虫 (著名写手)
- 应助: 6 (幼儿园)
- 贵宾: 0.01
- 金币: 8382.2
- 红花: 3
- 帖子: 1596
- 在线: 333.2小时
- 虫号: 449557
- 注册: 2007-11-02
- 性别: GG
- 专业: 金属非晶态、准晶和纳米晶
3楼2009-03-25 15:24:41
10