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375713000

木虫 (正式写手)

[交流] 【求助】关于CASTAP中CO在Pd表面吸附例子的问题

我看了最常见的castap的例子,CO在Pd表面吸附。
为什么在切割完加真空层后得进行以下操作:


选择Lattice Parameters选项。选择Advanced标签,按下Reorient to standard按钮,在3D model document中单击右键,选择在Display Style。然后选中Lattice标签,在Display中,把Style从Default改为Origina。再按下Up 指针键两次

这样做的目的是什么?  改变显示后,少了几原子,    没发现哪儿有什么UP指针啊

如果直接在加完真空层后进行优化,这样行不行?

[ Last edited by freshgirl on 2009-6-21 at 20:48 ]
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只要我不醒来,世界就不存在
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yongyong2050

至尊木虫 (职业作家)

★ ★
fegg7502(金币+2,VIP+0):thank you very much! 3-28 18:16
引用回帖:
Originally posted by 375713000 at 2009-3-25 10:45:
我看了最常见的castap的例子,CO在Pd表面吸附。
为什么在切割完加真空层后得进行以下操作:


选择Lattice Parameters选项。选择Advanced标签,按下Reorient to standard按钮,在3D model document中单击右键 ...

UP指针应该就是我们键盘上的向上键吧~~~~~
4楼2009-03-27 18:26:19
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vbaov

木虫 (著名写手)

★ ★ ★
375713000(金币+2,VIP+0):我上面咋找不到呢,在那儿有向上箭头,麻烦您了啊 3-25 18:05
qasd(金币+1,VIP+0):xiexie~ 3-25 21:17
引用回帖:
Originally posted by 375713000 at 2009-3-25 10:45:
我看了最常见的castap的例子,CO在Pd表面吸附。
为什么在切割完加真空层后得进行以下操作:


选择Lattice Parameters选项。选择Advanced标签,按下Reorient to standard按钮,在3D model document中单击右键 ...

up就是向上的那个方向键,这样的操作为的是节省计算的时间,其表现的晶胞是一样的,只不过是换了一种表现形式而已
3楼2009-03-25 15:24:41
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ilyx8050

禁虫 (正式写手)

★
zdhlover(金币+1,VIP+0):谢谢 3-30 17:45
本帖内容被屏蔽

5楼2009-03-30 11:58:54
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