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表面结构的DOS
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1992lxm
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表面结构的DOS
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为什么我算的AlGaAs表面结构的DOS从半导体变成了导体
surface-dos.jpg
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1楼
2017-03-22 17:52:01
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zhangfrank
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【答案】应助回帖
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8楼
:
Originally posted by
1992lxm
at 2017-03-23 21:50:01
这个表面结构是我建立的,因为表面存在重构。我在下表面加了H钝化,这个赝势有什么要求么?...
不知道你设置的重构是否合理
看你最下面一层是什么原子了。下面一层是III族的就是用1.25e的H V族的就是用0.75e的H
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9楼
2017-03-24 11:01:34
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zhangfrank
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【答案】应助回帖
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2017-03-23 21:07:03
你要贴出来你的INCAR参数设置、你的模型如何建立的,才可以做判断的。。。
这样只有一个dos没法判断。
有一个可能是你的模型建立不合理,参杂的过程没有建好
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2楼
2017-03-23 10:33:05
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2楼
:
Originally posted by
zhangfrank
at 2017-03-23 10:33:05
你要贴出来你的INCAR参数设置、你的模型如何建立的,才可以做判断的。。。
这样只有一个dos没法判断。
有一个可能是你的模型建立不合理,参杂的过程没有建好
合金的结构模型使用atat建立的,体材料计算的态密度和别人做的一样,然后构建表面结构,计算就不一样了
计算dos的INCAR
优化后的表面结构
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3楼
2017-03-23 19:12:30
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zmwboy001
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4楼
2017-03-23 19:24:24
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