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1992lxm

金虫 (小有名气)

[求助] 表面结构的DOS 已有1人参与

为什么我算的AlGaAs表面结构的DOS从半导体变成了导体

表面结构的DOS
surface-dos.jpg
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zhangfrank

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
8楼: Originally posted by 1992lxm at 2017-03-23 21:50:01
这个表面结构是我建立的,因为表面存在重构。我在下表面加了H钝化,这个赝势有什么要求么?...

不知道你设置的重构是否合理

看你最下面一层是什么原子了。下面一层是III族的就是用1.25e的H  V族的就是用0.75e的H
计算顺利点吧
9楼2017-03-24 11:01:34
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zhangfrank

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
漫天飘雪: 金币+2, 谢谢交流 2017-03-23 21:07:03
你要贴出来你的INCAR参数设置、你的模型如何建立的,才可以做判断的。。。
这样只有一个dos没法判断。

有一个可能是你的模型建立不合理,参杂的过程没有建好
计算顺利点吧
2楼2017-03-23 10:33:05
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1992lxm

金虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by zhangfrank at 2017-03-23 10:33:05
你要贴出来你的INCAR参数设置、你的模型如何建立的,才可以做判断的。。。
这样只有一个dos没法判断。

有一个可能是你的模型建立不合理,参杂的过程没有建好

合金的结构模型使用atat建立的,体材料计算的态密度和别人做的一样,然后构建表面结构,计算就不一样了
表面结构的DOS-1
计算dos的INCAR


表面结构的DOS-2
优化后的表面结构

3楼2017-03-23 19:12:30
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4楼2017-03-23 19:24:24
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