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1992lxm

金虫 (小有名气)

[求助] 表面结构的DOS 已有1人参与

为什么我算的AlGaAs表面结构的DOS从半导体变成了导体

表面结构的DOS
surface-dos.jpg
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4楼2017-03-23 19:24:24
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zhangfrank

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
漫天飘雪: 金币+2, 谢谢交流 2017-03-23 21:07:03
你要贴出来你的INCAR参数设置、你的模型如何建立的,才可以做判断的。。。
这样只有一个dos没法判断。

有一个可能是你的模型建立不合理,参杂的过程没有建好
计算顺利点吧
2楼2017-03-23 10:33:05
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1992lxm

金虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by zhangfrank at 2017-03-23 10:33:05
你要贴出来你的INCAR参数设置、你的模型如何建立的,才可以做判断的。。。
这样只有一个dos没法判断。

有一个可能是你的模型建立不合理,参杂的过程没有建好

合金的结构模型使用atat建立的,体材料计算的态密度和别人做的一样,然后构建表面结构,计算就不一样了
表面结构的DOS-1
计算dos的INCAR


表面结构的DOS-2
优化后的表面结构

3楼2017-03-23 19:12:30
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zhangfrank

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by 1992lxm at 2017-03-23 19:12:30
合金的结构模型使用atat建立的,体材料计算的态密度和别人做的一样,然后构建表面结构,计算就不一样了

计算dos的INCAR

优化后的表面结构
...

不知道你在优化和自洽步的计算是否有错误。只说在你贴的dos步的问题:
1.从INCAR看,你的EDIFF EDIFFG都太小了。这个其实增大了很多计算量,并且是否这么高的标准是否有意义还要考虑的。看论文,你的这俩参数变大十倍都没关系
2.不知道你的表面为什么优化后会这样的?(001)面按理说合理的优化后表面不会说变成这样缺一大块的。。。是你建模就建立的中间缺少一大块么?
3.似乎你是有在最下面一层用赝H钝化了是吧?有没有用正确的赝H?
计算顺利点吧
5楼2017-03-23 21:23:40
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