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请问各位大神，你们对晶体硅做弛豫的时候，incar参数怎么设置啊。还有就是我用VASP算完以后为什么表面与弛豫完的硅实际表面不一样。 这是我的incar参数设置： SYSTEM =Si Startparameter for this Run: NWRITE = 1; LPETIM=F write-flag & time ISTART = 0 job : 0-new 1-cont 2-samecu LWAVE = .FALSE. LCHARG = .FALSE. Electronic Relaxation 1 # NELM = 2000 NELMIN = 5 EDIFFG = .1E-3 EDIFF = .1E-3 PREC = Accurate Ionic Relaxation NSW = 1000 for static cal/. NBLOCK = 1 ; KBLOCK = 5 inner block; outer block IBRION = 2 ionic relax: 0-MD 1-quasi-New 2-CG POTIM = 0.5 LCORR = T Harris-correction to forces ENCUT = 300 ISIF = 2 DOS related values: # ENAUG = 400.0 ISMEAR = 0 SIGMA = 0.10 LDOS # RWIGS = 1.30 1.335 1.126 # NPAR = 1 # work function # LVTOT = .TURE. # LDIPOL = .TURE. # IDIPOL = 3 Electronic Relaxation 2 ALGO = FAST IALGO = 48 algorithm LDIAG = T sub-space diagonalisation LREAL = A ROPT = -2E-4 -2E-4 -2E-4 # AMIX = 0.3 # BMIX = 0.0001 # AMIX_MAG = 0.8 # BMIX_MAG = 0.0001 # MAXMIX = 40 # NGX = 60 # NGY = 60 # NGZ = 60 弛豫完的表面结构和刚开始的没什么不一样。 |
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2楼2014-01-07 09:16:56
