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yingeyanjiu

新虫 (初入文坛)

[求助] 结构优化 已有1人参与

请问各位大神,你们对晶体硅做弛豫的时候,incar参数怎么设置啊。还有就是我用VASP算完以后为什么表面与弛豫完的硅实际表面不一样。
这是我的incar参数设置:

SYSTEM =Si
Startparameter for this Run:
   NWRITE =      1;   LPETIM=F    write-flag & time
   ISTART =      0    job   : 0-new  1-cont  2-samecu
   LWAVE = .FALSE.
   LCHARG = .FALSE.
Electronic Relaxation 1
# NELM   =   2000
   NELMIN =   5
   EDIFFG = .1E-3
   EDIFF  = .1E-3
  PREC   = Accurate
Ionic Relaxation
   NSW    = 1000      for static cal/.
   NBLOCK =      1 ;   KBLOCK =      5    inner block; outer block
   IBRION = 2   ionic relax: 0-MD 1-quasi-New 2-CG
   POTIM  =  0.5
   LCORR  =  T    Harris-correction to forces
   ENCUT  = 300
   ISIF = 2
DOS related values:
#  ENAUG = 400.0
   ISMEAR = 0
   SIGMA = 0.10
LDOS
#  RWIGS = 1.30  1.335  1.126
#  NPAR = 1
#   work function
  # LVTOT = .TURE.
  # LDIPOL = .TURE.
  # IDIPOL = 3
Electronic Relaxation 2
   ALGO = FAST
  IALGO  =  48    algorithm
   LDIAG  =   T    sub-space diagonalisation
   LREAL = A
   ROPT  = -2E-4 -2E-4 -2E-4
#   AMIX = 0.3
#   BMIX = 0.0001  
#   AMIX_MAG = 0.8  
#   BMIX_MAG = 0.0001
#   MAXMIX = 40
#   NGX = 60
#   NGY = 60
#   NGZ = 60
弛豫完的表面结构和刚开始的没什么不一样。
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零下1℃

铁虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
LZ到底是一样还是不一样啊,上面不一样,下面没什么不一样?因为弛豫都是对原子坐标位置和晶格常熟做的优化,所以一般是要发生变化的。
2楼2014-01-07 09:16:56
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