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leimeng0207

新虫 (初入文坛)

[求助] 求助氮化硅掩膜(有露出部分硅片开口)的热氧化 已有2人参与

在硅基底上生长了氮化硅掩膜,用光刻胶保护在浓磷酸中刻蚀出了开口,然后放入到高温炉中热氧化(1100摄氏度干氧2小时),拿出来后想去掉剩下的氮化硅,发现浓磷酸去不掉氮化硅了。。是因为氮化硅被氧化了么?

@yswyx @dut_ameng 发自小木虫Android客户端
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leimeng0207

新虫 (初入文坛)

2楼2016-10-17 21:48:17
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leimeng0207

新虫 (初入文坛)

3楼2016-10-17 21:48:30
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dezhuli

金虫 (小有名气)

博士


有氮氧硅生成了,浓磷酸没办法去除

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4楼2016-10-18 10:08:30
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leimeng0207

新虫 (初入文坛)

对的,在合适的温度下能够避免这个问题么,氮化硅不被氧化,而且硅被氧化

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5楼2016-10-19 10:19:30
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leimeng0207

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
4楼: Originally posted by dezhuli at 2016-10-18 10:08:30
有氮氧硅生成了,浓磷酸没办法去除

对的!请问有没有合适的温度或者条件,让氮化硅不被氧化,而硅被氧化为氧化会硅呢

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6楼2016-10-19 10:21:13
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dezhuli

金虫 (小有名气)

博士


7楼2016-10-19 12:03:31
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dezhuli

金虫 (小有名气)

博士


8楼2016-10-19 12:03:48
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exciting73

金虫 (著名写手)


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
可以换其他的蚀刻液去掉氮氧硅吧
9楼2016-10-19 22:44:25
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leimeng0207

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
9楼: Originally posted by exciting73 at 2016-10-19 22:44:25
可以换其他的蚀刻液去掉氮氧硅吧

能去氮氧硅的氧化硅也会被去掉啊(哭)

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10楼2016-10-20 10:10:13
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