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求助氮化硅掩膜(有露出部分硅片开口)的热氧化 已有2人参与
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在硅基底上生长了氮化硅掩膜，用光刻胶保护在浓磷酸中刻蚀出了开口，然后放入到高温炉中热氧化(1100摄氏度干氧2小时)，拿出来后想去掉剩下的氮化硅，发现浓磷酸去不掉氮化硅了。。是因为氮化硅被氧化了么？ @yswyx @dut_ameng 发自小木虫Android客户端 |
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