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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » Al剥离困难
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1154606018

新虫 (小有名气)

[求助] Al剥离困难 已有4人参与

请问，磁控溅射Al很难剥离是怎么回事?丙酮，NMP都试过，同种光刻条件Ni很容易剥掉，Al很难很难，郁闷了。用SEM看了下显影后的光刻胶图形，发现不是倒角，但是Ni为何那么容易剥掉?想重新试光刻条件做成倒角，但是前烘时间，曝光时间与显影时间哪个更影响倒角的形成呢？可否给分析一下，谢谢啦！

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1楼 2016-03-29 23:42:12
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dezhuli

金虫 (小有名气)

博士
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2楼2016-03-30 13:35:31
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盟维科技

捐助贵宾 (小有名气)

专家

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
如果是正胶很难从工艺角度去变成倒角，你可以试试双层胶，使用负胶也可以，或者你考虑到胶厚的问题没
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3楼2016-03-30 19:03:52
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1154606018

新虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 盟维科技 at 2016-03-30 19:03:52
如果是正胶很难从工艺角度去变成倒角，你可以试试双层胶，使用负胶也可以，或者你考虑到胶厚的问题没

显影后用SEM测了胶2.5um厚度可以。用的AZ5214，不做反转，一次曝光加显影Ni剥离没问题，Al就是剥不掉。请问您说的用双层胶是什么意思

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4楼2016-03-30 23:58:34
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研材-jiali

捐助贵宾 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
建议你使用Lifft Off这种负胶做剥离，我们一般做铝的剥离不用5214，用的就是Lifft Off胶，丙酮一超声就下来了~
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5楼2016-03-31 11:01:24
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1154606018

新虫 (小有名气)
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6楼2016-03-31 11:04:05
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研材-jiali

捐助贵宾 (小有名气)
商家已经主动声明此回帖可能含有宣传内容
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6楼: Originally posted by 1154606018 at 2016-03-31 11:04:05
lifft off胶?名字没有错吧?我掩膜板的设计只用于正胶啊,还有没有别的办法呀
...

这款：KXN5735-L0是一款 Lift-Off 高分辨率负性光刻胶，适用于 I 线(365nm)和 broadline，选择合适的旋涂速度（ 见旋涂曲线），可以获取厚度 2.2-5.2 微米的膜。在 合适的光刻工艺条件下获得极限分辨率达 4um @FT 3um 的倒梯形光刻胶图案（光刻胶壁倒角 65-80° ）。

你是做什么工艺呀？叉指电极？
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7楼2016-03-31 13:46:28
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guotao019

新虫 (著名写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by 1154606018 at 2016-03-31 11:04:05
lifft off胶?名字没有错吧?我掩膜板的设计只用于正胶啊,还有没有别的办法呀
...

用正胶，Lift_off工艺，剥离起来很快的，要求金属厚度和胶的厚度不低于1：1.5，一般是1：3

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8楼2016-03-31 16:41:27
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1154606018

新虫 (小有名气)
引用回帖:
8楼: Originally posted by guotao019 at 2016-03-31 16:41:27
用正胶，Lift_off工艺，剥离起来很快的，要求金属厚度和胶的厚度不低于1：1.5，一般是1：3
...

我用的正胶，但是显影后不是倒角，用剥离液剥的有时候能剥掉有时候很不好剥

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9楼2016-03-31 16:43:35
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guotao019

新虫 (著名写手)
引用回帖:
9楼: Originally posted by 1154606018 at 2016-03-31 16:43:35
我用的正胶，但是显影后不是倒角，用剥离液剥的有时候能剥掉有时候很不好剥
...

胶多厚？金属多厚？

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10楼2016-03-31 16:45:12
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