学习使用vasp计算缺陷的形成能，看了很多之前的帖子，目前还存在一些疑问，1，原子空位缺陷的电荷该如何设置，可以直接使用参考文献中给的电荷状态吗2，vasp计算带电缺陷的INCAR如何设置，...

我在另一篇PRL文章里看到了图3所示的计算形成能的方法，大体形式类似，但是后面的电荷项有点差别。我可以认为是他把图1里的Ev取为0了吗？（因为文章里作“形成能-E_F”图时横轴是E_F=0~6eV...

即是否可以vasp计算带电的表面界面slab？以及是否可以画表面、界面体系的形成能vs费米能级的图4.假设某材料的PBE下bandgap是2eV，HSE修正后是3ev；pbe下的在CBM以下0.5eV有一个gapstate，...

请问下，VASP得到的能带中价带顶的能量，是不是真实值？还是要再加上费米能级？[发自小木虫android客户端]

1）关于VASP中计算该deltaV修正项，能否赐教下详细怎么操作的。2）VASP中“无缺陷的超胞的的VBM”如何计算。谢谢发自小木虫android客户端]

对于带电体系，在计算形成能随着费米能级的变化情况时，由于相邻晶胞之间的带电缺陷会发生相互作用（库伦相互作用），这会对能带结构产生一定的影响，因此需要进行修正。参考文献：JAP,...

（本人想算带电的缺陷形成能，需要算静电势）将计算好的xsd文件生成Slice，然后执行以下脚本。以下为脚本=usestrict;use...而且CASTEP最后得到的静电势和VASP得到的结果不同。...

如题，我最近正在用VASP计算带电点缺陷的形成能，但是在形成能公式Ef?Etot[bulk]+ini(Ei+μi)+q(EF?VBM)+Ecorr里有一个静电相互作用的修正项Ecorr，我已查阅相关文献...

在计算带电缺陷形成能的时候，需要对带电体系的能量做monopole,dipole修正，具体的修成值在vaspOUTCAR文件输出，例如下面类似的项：energycorrectionforchargedsystem0.109933eV...

最近计算缺陷遇到几个问题，想请教一下大家1，下面公式的后面三项分别是什么？...2，后面的三项我看了很多都是对半导体来求的，对于晶体属于金属，是否可以利用这个公式来求形成能？...

有谁知道用VASP如何块体材料计算带电缺陷的镜像电荷修正(imagechargecorrection)呢？一篇小文章，计算的是带电缺陷的形成能。审稿人问imagechargecorrection有啥影响？不会算啊...

在较少超胞下面修正，得到较好的带电缺陷形成能FullyAbInitioFinite-SizeCorrectionsforCharged-DefectSupercell...想学习一下里面的方法，有没有利用VASP实现过的老师和同学·...

通常在研究带电缺陷时，似乎我们都是通过设置NELECT来控制...例如，如果要对氧空位的形成能Ef计算，我们都是通过NELECT的不同设置来模拟不同的"价态"，然后比较形成能的大小来画出费米能级-...

例如说氧空位Vo，为什么他会呈现出0，+1，+2价。其物理图像是什么，它呈现这些价态时是基于体系是中性状态下吗？另外，vasp中是不是要计算各个价态下的形成能来确定其真实的价态

本人正在算一个半导体氧化物中引入N杂质，N替换O，计算其形成能。首先计算了中性缺陷，体系的总能：ETOT=-648.481449eV然后计算N（-1）,体系的总能，将NELECT设为NELECT(原来的中性体系）...

但两个体系F0空位的形成能和之后的原子吸附能都基本一致（相差0.1eV内），因此排除了空位浓度对能量的影响，...看过一篇PRB里面就是用VASP计算MgO表面的F1F2缺陷的，具体参数设置他也没提。...

已用VASP计算出了单个带电缺陷（空位和间隙）的形成能，如何用它们得出复合缺陷（Frenkel,Schottky)缺陷的形成能呢？二者是简单的加和关系吗？

计算了一个带电缺陷的体系，但是形成能和文献值差比较大，看了一下电子密度，发现这个电荷没有局域到那个缺陷的位置上，这个能怎么办呢？这个局域不局域的情况能在vasp中实现么？...

想计算一下带电缺陷的形成能，需要计算静电势，请问在vasp中应如何计算啊