24小时热门版块排行榜

>论坛更新日志 (3108)
>虫友互识 (769)
>文献求助 (191)
>休闲灌水 (148)
>导师招生 (136)
>考博 (128)
>教师之家 (81)
>找工作 (76)
>硕博家园 (74)
>博后之家 (73)
>论文投稿 (71)
>论文道贺祈福 (66)
>基金申请 (62)
>考研 (57)
>公派出国 (50)
>招聘信息布告栏 (32)

返回列表

zym765319199

金虫 (小有名气)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 1514.3
散金: 4
帖子: 157
在线: 31.8小时
虫号: 2544632
注册: 2013-07-13
专业: 半导体光电子器件

[求助] VASP计算静电势

对于带电体系，在计算形成能随着费米能级的变化情况时，由于相邻晶胞之间的带电缺陷会发生相互作用（库伦相互作用），这会对能带结构产生一定的影响，因此需要进行修正。

参考文献：JAP, VOLUME 95, NUMBER 8 15 APRIL 2004

Our preferred method is to align the electrostatic potentials by inspecting the potential in the supercell far from the impurity and aligning it with the electrostatic potential in bulk GaN.

Q:为什么修正价带顶是这么操作的，通过对齐远离缺陷或杂质的静电势和不含缺陷或杂质的静电势对齐？这里面对应的物理图像是怎么样的？为什么不是缺陷处静电势和完整晶格的静电势对齐，而是离缺陷较远处的静电势和完整晶格对齐？此外，具体的计算静电势的操作是怎样的？

跪求大神指导！！！！

回复此楼