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汕头大学海洋科学接受调剂
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hexin1982

新虫 (小有名气)

[求助] 有关费米能级的问题 已有2人参与

请问在scf计算中,选择不同的smearing方法是否会导致费米能级相差很大?
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anita55

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2016-01-06 20:55:16
呃,今天看的帖子里有,我也不太明白,粘过来,一位虫友写的:

smering 是什么意思
我个人的理解是这样的:由于金属的能带有可能穿越fermi 能级,从而引起总能计算时
的不连续变化(这个我不知道为什么?)。为了避免这种情况,需要引入分数的占据态。在
castep 中0k 下的计算,是将单电子能级采用Gaussian 函数展宽,展开宽度就是smearing
width。然而,由于展宽了单电子能级相当于增加了有限的温度,所以必须修正以得到0k 下
的结果。另外,smearing 的另一个作用是可以增加总能计算的收敛性。
2楼2015-12-30 15:18:19
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bujiesan

新虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by anita55 at 2015-12-30 15:18:19
呃,今天看的帖子里有,我也不太明白,粘过来,一位虫友写的:

smering 是什么意思
我个人的理解是这样的:由于金属的能带有可能穿越fermi 能级,从而引起总能计算时
的不连续变化(这个我不知道为什么?)。为 ...

那么smearing的值该设为多少呢?

发自小木虫Android客户端
好好学物理!
3楼2016-01-01 08:35:48
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wwyww

木虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by bujiesan at 2016-01-01 08:35:48
那么smearing的值该设为多少呢?
...

同问
4楼2016-01-01 14:25:01
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wobure

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖


liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2016-01-30 18:01:18
请参考QE手册解释,个人用得0.02,如果收敛慢,可以加大一点。不过计算出来的Fermi能级一般不对应正确的物理含义,尤其在半导体和绝缘体的计算中。可以参考着定一下导带和价带吧!
5楼2016-01-18 17:55:23
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wwyww

木虫 (正式写手)

引用回帖:
5楼: Originally posted by wobure at 2016-01-18 17:55:23
请参考QE手册解释,个人用得0.02,如果收敛慢,可以加大一点。不过计算出来的Fermi能级一般不对应正确的物理含义,尤其在半导体和绝缘体的计算中。可以参考着定一下导带和价带吧!

那对应的是什么?

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
6楼2016-01-19 07:28:30
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wwyww

木虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by anita55 at 2015-12-30 15:18:19
呃,今天看的帖子里有,我也不太明白,粘过来,一位虫友写的:

smering 是什么意思
我个人的理解是这样的:由于金属的能带有可能穿越fermi 能级,从而引起总能计算时
的不连续变化(这个我不知道为什么?)。为 ...

是否意味着,金属的smearing可以大一些?

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
7楼2016-01-19 07:29:41
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afan0012

木虫 (小有名气)

我理解的:不同的展开方式,其实就是积分态密度时,选取的基函数不同(高斯分布或者费米分布)。展宽就是高斯函数的展宽,而费米展开是没有展宽的,个人认为更加准确。同一体系,通过调节ISMEAR和SIMGA参数,可以得到近乎相等的费米能级。

发自小木虫Android客户端
8楼2016-01-19 07:37:15
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卡开发发

专家顾问 (著名写手)

Ab Initio Amateur

展宽的问题不知道算不算万年梗,应该和afan兄说的一样,做k空间积分的时候出现δ(E-Ei),如果通过四面体方法可能需要大量的K点体系的能量和力才能够收敛。尤其是力,如果力不收敛,离子步(结构优化)就是不正确的。大概把看到的理论以及VASP手册的东西总结了一下。

实际数值计算通过一个函数来逼近这个δ,一般使用Gauss函数或Fermi-Dirac型的,后者物理意义稍强于前者,但毕竟体系中不同能态k的电子直接有相互作用不是完全独立的粒子,两者引进的电子温度和熵都不是真实的电子温度和熵,只是为了辅助计算而已,所以计算结果应该想办法外推到0K,通常使用的方法就是E(T→0)=E(T>0)+1/2TS。

对于Gaussi展宽刚好符合E(T→0)=E(T>0)+1/2TS,所以能够取稍大的展宽,这种方式因而对不少体系有比较强的普适性;对于FD展宽只能尽可能控制比较低。对于金属体系可以采用MP展宽,这样即便采用稍大的展宽TS项也不会很大因而对能量计算影响不大,需要小心的是该方法对于非金属体系可能会计算出负的占据数。

那么展宽是越大越好吗?当然不是,上述展宽实际上当然都不能设置太大,否则计算出的电子结构是有问题的,计算的结果也就失去意义了。一般来说不同的展宽Ef算出来稍有差异,但不会差异巨大。
不一定挂在论坛,计算问题问题欢迎留言。
9楼2016-01-20 08:50:41
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