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[求助]
有关改善ITO/HTL界面问题的求助
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新手金币不多，问个“白痴”问题哈，不知道是不是应该发在这儿，希望有人耐心帮我下 最近看的第一篇文献上提到改善ITO/HTL界面注入能垒时，提到了两个方法，一个是加入一层薄的有机中间层organic interlayer，也就是HIL。另一个是加入一层薄的无机缓冲层a nanometer-thick inorganic buffer layer,例如MoO3. 我奇怪的是第二种方法不也是加入HIL么？难道这两者机理不一样？即使是无机氧化物，不也应该是利用HIM的HOMO能级在ITO费米能级与HTLHOMO能级之间做一个台阶，进行能级匹配吗？ 但文献只认为加入有机层才是这个机理，而加入无机层的机理是：a nanometer-thick inorganic buffer layer(mostly a metal oxide like MoO3 and Pr2O3) is deposited on ITO to sustain a positive voltage drop, which effectively displaces the Fermi level of ITO downward. 希望有人给我简单说说这两种方法机理的区别，哪怕只是翻译一下上面那个句子也好。谢谢啦~~ |
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 光电化学 |
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【答案】应助回帖
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nofrunolif: 金币+1, 鼓励交流 2012-11-20 13:54:42
nofrunolif: 金币+1, 鼓励交流 2012-11-20 13:54:42
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首先，无机材料不存在HOMO、LUMO的概念了，应该说导带和价带是吧 我分析了一下，文献的意思是说： 普通时候，ITO的Fermi能级是“—”（平的）； 使用有机材料作空穴缓冲/传输层时，作为阳极的ITO的Fermi能级是“\”向下倾斜的（就是为了和HIL、HTL搭好台阶）； 使用无机材料如MoO3，NiO作空穴缓冲/传输层时，无机材料可以承担正向的电压降，有效地缓解了ITO的Fermi能级向下倾斜。 这是我个人的见解，欢迎交流讨论 另外我觉得无机的空穴缓冲层比有机材料更稳定 |
2楼2012-11-20 12:31:13
huangda
金虫 (著名写手)
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- 专业: 有机分子功能材料化学
【答案】应助回帖
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首先，改善能垒并不是只是这两个办法 其次，ITO/HIL/HTL你理解的意思跟我一样 第三，那段英文的意思我理解如下：将纳米厚度的无机缓冲层（大多数是金属氧化物如MoO3和Pr2O3）沉积到ITO上是为了保持一个正的电压降，这个电压降有效的代替了ITO费米能级的下降。 第四，换句话说，针对那段英文的意思，观点目前与emuch_ID=刘志民所言一致，我们现在可以得出的一个结论是，“ITO费米能级的下降”是一个不好的现象。这个结论要确认。 第五，我觉得，无机缓冲层与ITO的相容性更好，似乎可以认为是对ITO的修饰。这个观点供讨论。 问题很好哈，欢迎常来发问。最好附上原始文献出处 |
3楼2012-11-21 12:57:49
