SEM测刻蚀后的样品横截面，怎样切割样品 - 功能材料 - 测试表征

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勿忘心安里

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10楼: Originally posted by 竹溪云逸 at 2015-12-25 15:19:08
如果是在100的硅片上，找准位置直接用金刚笔切断就行啊

这样试过，不怎么好！

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11楼2015-12-25 19:41:33

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勿忘心安里

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9楼: Originally posted by 阆苑村夫 at 2015-12-25 15:06:06
楼主在FPC行业？

没有呢！

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12楼2015-12-25 19:41:44

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jhwang2010

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那就用FIB吧

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13楼2015-12-25 20:22:26

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晴天安好

新虫 (初入文坛)

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我试过切开在STO上的PZT.用玻璃刀划开，按解理面掰开，你是刻蚀台阶？做他的什么研究啊，可以交流一下吗？

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14楼2015-12-25 20:35:10

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jedi-j

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15楼2015-12-25 20:41:33

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longseaker

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Cp可以

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16楼2015-12-25 20:43:35

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jedi-j

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上面有幾樓說的直接接觸切割㑹嚴重破壞斷面完整，萬萬不可取。
要利用晶片單晶的破壞走向可控性，在邊緣製造一個晶格缺陷，然後略為施加應力。
晶片就會沿著晶格方向裂開。

至於 Ar ion beam，不是每一台 SEM都有。
至少以前我是沒得用。
而且因為傾斜角的問題，Y方向長度㑹比較不好量測。
另外就是樣品一定要鍍金。
切得好的樣品，不鍍金只要手快，也是可以作 SEM的。

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17楼2015-12-25 20:45:39

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14楼: Originally posted by 晴天安好 at 2015-12-25 20:35:10
我试过切开在STO上的PZT.用玻璃刀划开，按解理面掰开，你是刻蚀台阶？做他的什么研究啊，可以交流一下吗？

可以的！

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18楼2015-12-25 22:19:40

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17楼: Originally posted by jedi-j at 2015-12-25 20:45:39
上面有幾樓說的直接接觸切割㑹嚴重破壞斷面完整，萬萬不可取。
要利用晶片單晶的破壞走向可控性，在邊緣製造一個晶格缺陷，然後略為施加應力。
晶片就會沿著晶格方向裂開。

至於 Ay ion beam，不是每一台 ...

谢谢，你很了解，希望后续能多交流！

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19楼2015-12-25 22:20:36

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jedi-j

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19?: Originally posted by ????????? at 2015-12-25 22:20:36
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20楼2015-12-25 23:08:22

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