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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 材料综合 » 材料化学 » 什么设备长二氧化硅质量好且厚度可控（超材料介质层）
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木有一只

新虫 (初入文坛)

[求助] 什么设备长二氧化硅质量好且厚度可控（超材料介质层） 已有2人参与

大家好～
我想要在金上长二氧化硅，需要致密性好一些，厚需要20㎚，长出来差别在1-2nm以内，请问什么设备比较适合？
有电子束蒸发:100℃，老师说厚度可控，均匀，但是质量不太好。
PECVD:致密，均匀性不如电子束蒸发，厚度也难控制。
还有就是ICPCVD:这个温度也低，长的估计也不好。厚度比PECVD可调一些。
二氧化硅是用作超材料的介质层。

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1楼 2015-12-15 17:12:08
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木有一只

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
8楼: Originally posted by wanghuaxing at 2015-12-16 23:07:23
我们用磁控溅射做，效果不错需要的话跟我联系

您在哪个学校？

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9楼2015-12-17 07:19:41
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niusj

至尊木虫 (著名写手)

我就是饺子，我为自己代言！！

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
mocvd试过没，不过水热反应釜我用过，可以做到纳米级
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Everyone is the architect of his own fortune.
2楼2015-12-15 17:57:16
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木有一只

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by niusj at 2015-12-15 17:57:16
mocvd试过没，不过水热反应釜我用过，可以做到纳米级

没有这个设备……

发自小木虫Android客户端
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3楼2015-12-15 18:56:02
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niusj

至尊木虫 (著名写手)

我就是饺子，我为自己代言！！
引用回帖:
3楼: Originally posted by 木有一只 at 2015-12-15 18:56:02
没有这个设备……
...

额，那我就不清楚了
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Everyone is the architect of his own fortune.
4楼2015-12-15 19:39:54
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