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什么设备长二氧化硅质量好且厚度可控（超材料介质层） 已有2人参与
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大家好～ 我想要在金上长二氧化硅，需要致密性好一些，厚需要20㎚，长出来差别在1-2nm以内，请问什么设备比较适合？ 有电子束蒸发:100℃，老师说厚度可控，均匀，但是质量不太好。 PECVD:致密，均匀性不如电子束蒸发，厚度也难控制。 还有就是ICPCVD:这个温度也低，长的估计也不好。厚度比PECVD可调一些。 二氧化硅是用作超材料的介质层。 [ 发自手机版 http://muchong.com/3g ] |
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niusj
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4楼2015-12-15 19:39:54
niusj
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3楼2015-12-15 18:56:02
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5楼2015-12-15 19:40:20
