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gaoxin6825

铁杆木虫 (著名写手)

[求助] 化学气相沉积法制备石墨烯 已有3人参与

我想问一下,以甲烷为碳源,镍为基底化学气相沉积制备石墨烯的最低温度是多少,最好能有个参考文献。
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学术猴猴

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

对啊,c v d的温度本来就决定于碳源的分解温度的,温度再低可能甲烷都没分解,如果有相关文献,再与你分享吧

发自小木虫Android客户端
志不强者智不达
5楼2015-12-03 11:15:06
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查看全部 7 个回答

学术猴猴

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
我可以提供一片关于以甲烷为碳源的石墨烯气象沉淀的文章,虫友可以自己查一查。
Li X S, Cai W W, Colombo L, et al. Evolution of graphene growth on Ni and Cu by carbon isotope labeling [J]. Nano Let-ters, 2009, 9(12): 4268-4272.(Glgoo 学术可搜索到的)
志不强者智不达
2楼2015-12-02 21:54:26
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学术猴猴

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★
gaoxin6825: 金币+2 2015-12-03 09:06:20
麻省理工学院的J. Kong 研究组通过电子束沉积的方法,在硅片表面沉积500 nm 的多晶Ni 膜作为生长基体,利用CH4 为碳源、H2 为载气的CVD 法生长石墨烯, 生长温度为900~1000摄氏度。
参考文献:Reina A, Jia X T, Ho J, et al. Large area, few-layer graphene films on arbitrary substrates by chemical vapor deposition [J].Nano Letters, 2009, 9(1): 30-35。
希望楼主能用的着。
志不强者智不达
3楼2015-12-02 22:51:33
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gaoxin6825

铁杆木虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 学术猴猴 at 2015-12-02 22:51:33
麻省理工学院的J. Kong 研究组通过电子束沉积的方法,在硅片表面沉积500 nm 的多晶Ni 膜作为生长基体,利用CH4 为碳源、H2 为载气的CVD 法生长石墨烯, 生长温度为900~1000摄氏度。
参考文献:Reina A, Jia X T, Ho J ...

谢谢,有没有温度更低一点,我看的文章大多数也是温度在900-1000.
但是要是生长纳米碳管的时候温度有时600就可以。我想知道有没有在600左右就可以生长石墨烯的文章
这个可能和甲烷的分解温度有关。
4楼2015-12-03 09:06:07
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