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gaoxin6825铁杆木虫 (著名写手)
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[求助]
化学气相沉积法制备石墨烯 已有3人参与
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| 我想问一下，以甲烷为碳源，镍为基底化学气相沉积制备石墨烯的最低温度是多少，最好能有个参考文献。 |
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5楼2015-12-03 11:15:06
2楼2015-12-02 21:54:26
【答案】应助回帖
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gaoxin6825: 金币+2 2015-12-03 09:06:20
gaoxin6825: 金币+2 2015-12-03 09:06:20
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麻省理工学院的J. Kong 研究组通过电子束沉积的方法,在硅片表面沉积500 nm 的多晶Ni 膜作为生长基体,利用CH4 为碳源、H2 为载气的CVD 法生长石墨烯, 生长温度为900~1000摄氏度。 参考文献：Reina A, Jia X T, Ho J, et al. Large area, few-layer graphene films on arbitrary substrates by chemical vapor deposition [J].Nano Letters, 2009, 9(1): 30-35。 希望楼主能用的着。 |
3楼2015-12-02 22:51:33
gaoxin6825
铁杆木虫 (著名写手)
- 应助: 5 (幼儿园)
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- 帖子: 1043
- 在线: 117.3小时
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- 注册: 2013-03-29
- 性别: GG
- 专业: 金属基复合材料
4楼2015-12-03 09:06:07
