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gaoxin6825

铁杆木虫 (著名写手)

[求助] 化学气相沉积法制备石墨烯 已有3人参与

我想问一下，以甲烷为碳源，镍为基底化学气相沉积制备石墨烯的最低温度是多少，最好能有个参考文献。
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1楼 2015-12-02 19:10:18
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gaoxin6825

铁杆木虫 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 学术猴猴 at 2015-12-02 22:51:33
麻省理工学院的J. Kong 研究组通过电子束沉积的方法,在硅片表面沉积500 nm 的多晶Ni 膜作为生长基体,利用CH4 为碳源、H2 为载气的CVD 法生长石墨烯, 生长温度为900~1000摄氏度。
参考文献：Reina A, Jia X T, Ho J ...

谢谢，有没有温度更低一点，我看的文章大多数也是温度在900-1000.
但是要是生长纳米碳管的时候温度有时600就可以。我想知道有没有在600左右就可以生长石墨烯的文章
这个可能和甲烷的分解温度有关。
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4楼2015-12-03 09:06:07
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