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jugengfans金虫 (正式写手)
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vasp可以计算带电体系，那么现实中一个体系一般能做到带电量多少？1e/unit cell？ 已有5人参与
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vasp有一个NELECT参数，可以控制体系的电荷，比如grep NELECT OUTCAR是50，那么你在INCAR里写49，相当于体系少了一个电子，带正电。而INCAR里写51，就是带一个单位负点。 两个问题： 1.vasp计算的带电体系所给出的能带结构可靠吗？ 2.实际情况中，体系的带电量能达到1个电子/unit cell吗？ 如果能，是通过什么手段注入电荷呢？（加电场？） |
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jugengfans
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看了一下手册，似乎说的是均匀电荷背景。 有人说因为带电体系的库伦相互作用能积分会趋于无穷，所以只能引入背景电荷。 但是我还是不明白带个电为什么就无穷了？ 不还是电子云之间的交换关联势，以及电子和core之间的相互作用吗。 NELECT NELECT = [real] Default: NELECT = number of valence electrons Description: NELECT sets the number of electrons. Usually you should not set this line. The number of electrons is determined automatically from the POTCAR (ZVAL of the element) and POSCAR file (number of the atoms of the respective atom type). If the number of electrons is not compatible with the number derived from the valence and the number of atoms a homogeneous background charge is assumed. If the number of ions specified in the POSCAR file is 0 and NELECT=n, then the energy of a homogeneous LDA-electron gas is calculated. |
9楼2015-11-18 11:37:15
binarec
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4楼2015-11-18 09:10:30
