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jugengfans

金虫 (正式写手)

[求助] vasp可以计算带电体系,那么现实中一个体系一般能做到带电量多少?1e/unit cell? 已有5人参与

vasp有一个NELECT参数,可以控制体系的电荷,比如grep NELECT OUTCAR是50,那么你在INCAR里写49,相当于体系少了一个电子,带正电。而INCAR里写51,就是带一个单位负点。
两个问题:
1.vasp计算的带电体系所给出的能带结构可靠吗?
2.实际情况中,体系的带电量能达到1个电子/unit cell吗? 如果能,是通过什么手段注入电荷呢?(加电场?)
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jmlv

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2015-11-22 08:13:47
VASP计算带电体系是不靠谱的!因为VASP貌似只会处理均匀电子气!而多数情况下,我们让体系带电,是希望看到体系在某个局部区域带点之后的情形。

其它DFT程序,比如Gaussian等,能正确处理带电体系吗?
4楼2015-11-18 09:10:30
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binarec

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
jugengfans: 金币+2, ★★★很有帮助, 均匀电子气?就是电子气吧?均匀指的是这个多余的电荷在bulk里均匀分布? 2015-11-17 19:41:58
liliangfang: 金币+2, 谢谢交流 2015-11-22 08:13:53
按照说明书,体系中带点荷的话,要在POTCAR和POSCAR里面设定相应的电荷ZVAL
如果体系电子数和体系中按照原子数*价电子数得到的总电子数目不符时,多出来的电荷按照均匀电子气处理
2楼2015-11-17 19:32:40
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binarec

木虫 (小有名气)

多出的电荷均匀分布。但说明书上并不建议这样做

发自小木虫Android客户端
3楼2015-11-18 00:12:16
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devinhu

木虫 (小有名气)

优化后电子会局域在某些的话的吧

发自小木虫Android客户端
5楼2015-11-18 10:32:48
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