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查找GaN system公司在加拿大的所有专利
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最近课题组有一个项目，打算申请专利，但是不清楚GaN system公司有没有已经申请了。查了加拿大的专利局，并没有找到，可能是我不会找，求大神指教 |
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hsd3521
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【答案】应助回帖
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陈日飞: 金币+5, ★有帮助, 有一定帮助 2015-09-20 23:14:15
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以GaN Systems Inc.(Ottawa,CA)为申请人检索到2个专利 [美国公开] DEVICES AND SYSTEMS FOR POWER CONVERSION CIRCUITS- US14105569 申请人： GAN SYSTEMS INC.(Ottawa,CA) 申请日： 2013-12-13 - 主分类号： H01L 25/18 20060101 [美国授权] High density gallium nitride devices using island topology- US13641003 申请人： GaN Systems Inc.(Ottawa,CA) 申请日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L 23/528 20060101 |
2楼2015-09-18 14:19:43
3楼2015-09-19 14:40:44
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我从加拿大专利局查到的也只有两个，其中一个和你的第二个一样。然后我从美国的专利局根本一个都没查到，我感觉怎么可能这么少？您能帮我再查一遍以及该公司在欧洲的专利有没有？或是告诉我怎么查吗？万分感谢！ |
4楼2015-09-19 15:01:36
hsd3521
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5楼2015-09-19 20:30:45
guoxiaojing
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【答案】应助回帖
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陈日飞: 金币+45, ★★★★★最佳答案, 非常好，非常感谢 2015-09-20 23:14:38
lazy锦溪: LS-EPI+1, 感谢应助！ 2015-09-21 12:41:33
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lazy锦溪: LS-EPI+1, 感谢应助！ 2015-09-21 12:41:33
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1.EPO检索 “gan systems” 6个专利，分别为： "FAULT TOLERANT DESIGN FOR LARGE AREA NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES" US2015162252 (A1) "FAULT TOLERANT DESIGN FOR LARGE AREA NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES" WO2015061881 (A1) "DEVICES AND SYSTEMS COMPRISING DRIVERS FOR POWER CONVERSION CIRCUITS" WO2014094115 (A1) "HIGH DENSITY GALLIUM NITRIDE DEVICES USING ISLAND TOPOLOGY" KR20130088743 (A) "Gallium nitride power devices using island topography" TW201234538 (A) "ISLAND MATRIXED GALLIUM NITRIDE MICROWAVE AND POWER SWITCHING TRANSISTORS" US9064947 (B2); US2012138950 (A1) 2、检索同族专利 WO2015061881 (A1)同族专利： "FAULT TOLERANT DESIGN FOR LARGE AREA NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES" WO2015061881 (A1) "Island matrixed gallium nitride microwave and power switching transistors" AU2010281317 (A1) "High density gallium nitride devices using island topology" AU2011241423 (A1) "ISLAND MATRIXED GALLIUM NITRIDE MICROWAVE AND POWER SWITCHING TRANSISTORS" CA2769940 (A1) "HIGH DENSITY GALLIUM NITRIDE DEVICES USING ISLAND TOPOLOGY" CA2796155 (A1); CA2796155 (C) "High density gallium nitride devices using island topology" CN102893392 (A); CN102893392 (B) "ISLAND MATRIXED GALLIUM NITRIDE MICROWAVE AND POWER SWITCHING TRANSISTORS" EP2465141 (A1) "HIGH DENSITY GALLIUM NITRIDE DEVICES USING ISLAND TOPOLOGY" EP2559064 (A1) "ISLAND MATRIXED GALLIUM NITRIDE MICROWAVE AND POWER SWITCHING TRANSISTORS" JP2013501362 (A) "HIGH DENSITY GALLIUM NITRIDE DEVICES USING ISLAND TOPOLOGY" JP2013528930 (A) "ISLAND MATRIXED GALLIUM NITRIDE MICROWAVE AND POWER SWITCHING TRANSISTORS" KR20120041237 (A) "HIGH DENSITY GALLIUM NITRIDE DEVICES USING ISLAND TOPOLOGY" KR20130088743 (A) "Gallium nitride power devices using island topography" TW201234538 (A) "HIGH DENSITY GALLIUM NITRIDE DEVICES USING ISLAND TOPOLOGY" US2013049010 (A1); US8791508 (B2) "Gallium Nitride Power Devices Using Island Topography" US2011186858 (A1); US9029866 (B2) "ISLAND MATRIXED GALLIUM NITRIDE MICROWAVE AND POWER SWITCHING TRANSISTORS" US9064947 (B2); US2012138950 (A1) "FAULT TOLERANT DESIGN FOR LARGE AREA NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES" US2015162252 (A1) "ISLAND MATRIXED GALLIUM NITRIDE MICROWAVE AND POWER SWITCHING TRANSISTORS" WO2011014951 (A1) "HIGH DENSITY GALLIUM NITRIDE DEVICES USING ISLAND TOPOLOGY" WO2011127568 (A1); WO2011127568 (A4) "GALLIUM NITRIDE POWER DEVICES USING ISLAND TOPOGRAPHY" WO2012103633 (A1) 3.用发明人检索 自行去epo检索吧 |
6楼2015-09-20 21:38:34
guoxiaojing
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