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净慧婍兴铁杆木虫 (小有名气)
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因为实验需要,想制备一层AlN薄膜,要求 002 取向,用作压电。基片是100的抛光Si,还有110的抛光Si,都是N型掺杂。 采用磁控溅射制备:Al靶+N2和Ar气体。试过直流溅射和射频溅射,参数都调节了。就是做不成来 002 取向的AlN。 按理说AlN应该很好做。设备是沈科仪的,真空度差不多是 7.0*10-4。 求各位大神指教啊。小弟着急。 |
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15楼2015-11-30 17:46:57







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