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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 氮化硅掩膜脱落问题
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wdzwyj

木虫 (小有名气)

[交流] 氮化硅掩膜脱落问题

各位虫友好:
       小虫最近做HF刻蚀多孔硅实验。使用氮化硅做掩膜，容易脱落的问题。氮化硅是采用PECVD方法生长，500℃退火所得。
将片子放置在刻蚀槽中，一分钟左右，氮化硅薄膜就开始脱落。有没有方法能避免掩膜脱落？谢谢！
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1楼 2015-08-18 10:54:17
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dgrxddx

金虫 (小有名气)
★
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我们组之前用的是PECVD氮化硅（Si：N=1.15）900℃60min退火，HF腐蚀60分钟无明显脱落。此外，氮化硅并不是最理想的掩膜材料，现在组里用fluoropolymer，只需2-5分钟plasma镀膜，P型硅结果完美。
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5楼2016-01-04 17:48:08
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孤子游侠

银虫 (小有名气)
★
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你的氮化硅衬底是什么材料？氮化硅跟沉底材料的厚度是？没有这些参数不好解答。
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为奋斗而来
2楼2015-08-29 10:16:18
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juekong

铁杆木虫 (著名写手)
氮化硅太薄了。

发自小木虫Android客户端
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3楼2015-09-15 06:01:46
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likanghit2004

金虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
我尝试过用光刻胶做掩膜的湿法刻蚀，情况类似，光刻胶在HF腐蚀液中迅速脱落，失去掩膜作用，感觉是侧向腐蚀速度很快导致的；
解决办法现在只想到用干法腐蚀，就是各种气体刻蚀方法，不知道湿法腐蚀应该怎么改进；
我的光刻胶大概是2微米厚，不知道你的氮化硅的厚度怎么样
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4楼2015-09-15 08:15:52
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