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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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wdzwyj

木虫 (小有名气)

[交流] 氮化硅掩膜脱落问题

各位虫友好:
       小虫最近做HF刻蚀多孔硅实验。使用氮化硅做掩膜,容易脱落的问题。氮化硅是采用PECVD方法生长,500℃退火所得。
将片子放置在刻蚀槽中,一分钟左右,氮化硅薄膜就开始脱落。有没有方法能避免掩膜脱落?谢谢!
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likanghit2004

金虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
我尝试过用光刻胶做掩膜的湿法刻蚀,情况类似,光刻胶在HF腐蚀液中迅速脱落,失去掩膜作用,感觉是侧向腐蚀速度很快导致的;
解决办法现在只想到用干法腐蚀,就是各种气体刻蚀方法,不知道湿法腐蚀应该怎么改进;
我的光刻胶大概是2微米厚,不知道你的氮化硅的厚度怎么样
4楼2015-09-15 08:15:52
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孤子游侠

银虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
你的氮化硅衬底是什么材料?氮化硅跟沉底材料的厚度是?没有这些参数不好解答。
为奋斗而来
2楼2015-08-29 10:16:18
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juekong

铁杆木虫 (著名写手)

3楼2015-09-15 06:01:46
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dgrxddx

金虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
我们组之前用的是PECVD氮化硅(Si:N=1.15)900℃60min退火,HF腐蚀60分钟无明显脱落。此外,氮化硅并不是最理想的掩膜材料,现在组里用fluoropolymer,只需2-5分钟plasma镀膜,P型硅结果完美。
5楼2016-01-04 17:48:08
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