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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 请教关于PL峰拟合的问题
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黄大仙在西安

银虫 (小有名气)

[交流] 请教关于PL峰拟合的问题 已有1人参与

我是做氮化镓材料的，在文献中，多数是用高斯线型拟合PL谱峰，而用洛伦兹线型拟合的非常少；我的粗浅的认识是：在半导体材料中，高斯线型对应的是激子或其他偶极子的多普勒展宽，而洛伦兹对应的是自然展宽和碰撞（散射）展宽。

1.在光激发的半导体中，特别是低温下，速度分布导致的多普勒展宽应该不是主要展宽机制，为什么文献中多采用对应的高斯线型，是否还有其他意义？

2.在半导体中，如果考虑混合展宽，去做精细的拟合，可否用简单pseudo-voigt function去拟合，还是必须得用卷积形式的voigt线型函数？
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1楼 2015-08-05 16:37:52
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ethan1129

铁杆木虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
楼主问题解决了吗？我也有类似的问题想问
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2楼2016-04-10 15:16:37
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